[发明专利]封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010060213.9 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN111261526A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 彭浩;廖小景 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/31
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强;李稷芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供金属板,在所述金属板的背面形成第一钝化层;

蚀刻所述金属板,以形成金属走线;

在所述第一钝化层之设有所述金属走线的一侧形成第二钝化层,所述第二钝化层包覆所述金属走线;

在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱,所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述金属走线和所述金属柱共同构成重布线层;

在所述重布线层上形成容纳腔,将电子器件封装于所述容纳腔中,所述电子器件的顶面和底面分别位于所述金属走线的两侧。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一表面到所述金属走线背向所述第一钝化层的表面的距离小于所述第一表面到所述顶面的距离。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述顶面到所述重布线层的第二表面的距离为20μm~80μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱包括:

在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成开口,所述开口露出所述金属走线;

在所述开口中形成所述金属柱。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,通过激光开孔工艺在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成所述开口。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,形成于所述第一钝化层的开口和形成于所述第二钝化层的开口相对设置和/或错位设置。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,通过电镀工艺在所述开口中形成所述金属柱。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一钝化层的材料为树脂,所述第一钝化层通过压合工艺形成于所述金属板的背面。

9.根据权利要求5-8任一项所述的制备方法,其特征在于,在蚀刻所述金属板的过程中还形成牺牲走线,在形成所述金属柱的同时在所述第一钝化层形成第一牺牲柱,及在所述第二钝化层中形成第二牺牲柱,所述第一牺牲柱和所述第二牺牲柱连接在所述牺牲走线的两侧,三者共同构成待去除材料,所述待去除材料呈闭环架构,在所述重布线层形成所述容纳腔的过程为蚀刻所述待去除材料,以形成所述容纳腔。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述将电子器件封装于所述容纳腔的过程为在所述重布线层的第一表面形成粘胶层,将所述电子器件装于所述容纳腔内,且所述电子器件的焊盘与所述粘胶层连接,在所述容纳腔内填充封装材料以封装所述电子器件。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在所述重布线层的第一表面形成第一线层,在所述重布线层的第二表面形成第二线层,所述第一线层和所述第二线层通过所述重布线层连通,露出所述第一表面的所述电子器件的焊盘通过所述第一线层与所述第二线层连接。

12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在所述第一线层和所述第二线层的表面分别形成防焊层。

13.一种如权利要求1-12任一项所述的制备方法所制作的封装结构,所述封装结构安装于移动电子设备的电路板上。

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