[发明专利]封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202010060213.9 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111261526A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 彭浩;廖小景 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/31 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供金属板,在所述金属板的背面形成第一钝化层;
蚀刻所述金属板,以形成金属走线;
在所述第一钝化层之设有所述金属走线的一侧形成第二钝化层,所述第二钝化层包覆所述金属走线;
在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱,所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述金属走线和所述金属柱共同构成重布线层;
在所述重布线层上形成容纳腔,将电子器件封装于所述容纳腔中,所述电子器件的顶面和底面分别位于所述金属走线的两侧。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一表面到所述金属走线背向所述第一钝化层的表面的距离小于所述第一表面到所述顶面的距离。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述顶面到所述重布线层的第二表面的距离为20μm~80μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第一钝化层和所述第二钝化层中分别形成与所述金属走线连接的金属柱包括:
在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成开口,所述开口露出所述金属走线;
在所述开口中形成所述金属柱。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,通过激光开孔工艺在所述第一钝化层和所述第二钝化层分别形成所述开口。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,形成于所述第一钝化层的开口和形成于所述第二钝化层的开口相对设置和/或错位设置。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,通过电镀工艺在所述开口中形成所述金属柱。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一钝化层的材料为树脂,所述第一钝化层通过压合工艺形成于所述金属板的背面。
9.根据权利要求5-8任一项所述的制备方法,其特征在于,在蚀刻所述金属板的过程中还形成牺牲走线,在形成所述金属柱的同时在所述第一钝化层形成第一牺牲柱,及在所述第二钝化层中形成第二牺牲柱,所述第一牺牲柱和所述第二牺牲柱连接在所述牺牲走线的两侧,三者共同构成待去除材料,所述待去除材料呈闭环架构,在所述重布线层形成所述容纳腔的过程为蚀刻所述待去除材料,以形成所述容纳腔。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述将电子器件封装于所述容纳腔的过程为在所述重布线层的第一表面形成粘胶层,将所述电子器件装于所述容纳腔内,且所述电子器件的焊盘与所述粘胶层连接,在所述容纳腔内填充封装材料以封装所述电子器件。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在所述重布线层的第一表面形成第一线层,在所述重布线层的第二表面形成第二线层,所述第一线层和所述第二线层通过所述重布线层连通,露出所述第一表面的所述电子器件的焊盘通过所述第一线层与所述第二线层连接。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在所述第一线层和所述第二线层的表面分别形成防焊层。
13.一种如权利要求1-12任一项所述的制备方法所制作的封装结构,所述封装结构安装于移动电子设备的电路板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010060213.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智联变压器一体机
- 下一篇:衣物处理设备的控制方法和控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造