[发明专利]半导体设备恢复方法有效

申请号：	202010061707.9	申请日：	2020-01-19
公开（公告）号：	CN111261555B	公开（公告）日：	2023-05-16
发明（设计）人：	国唯唯	申请（专利权）人：	北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01J37/32
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	彭瑞欣;张天舒
地址：	100176 北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	半导体设备恢复方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体设备恢复方法，其特征在于，包括：

清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；其中，所述第一工艺气体包括氧气，所述氧气能够与所述反应腔室内壁及介质窗上残留的含C、H的聚合物进行反应，产生易挥发的产物；

恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，所述第二工艺气体与所述基片表面的所述光胶掩膜反应，产生的光胶聚合物在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成光胶附着层，以利用所述光胶附着层的黏附性吸附后续刻蚀所产生的副产物；

所述方法还包括再恢复步骤，所述再恢复步骤包括：

向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体，所述第二工艺气体用于对腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀；

所述再恢复步骤于完成一次所述清洁步骤和所述恢复步骤之后的一预设工艺时间段之后，连续执行N次，N为1到5的自然数；

所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续空闲的时长，所述连续空闲的时长大于或等于半小时。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括氯气或三氯化硼中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述清洁步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；

所述氧气的流量的取值范围为200sccm-300sccm，用于将所述氧气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为800W-1200W。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述清洁步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为0℃～20℃，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为0-100W。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述恢复步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；

所述第二工艺气体包括氯气，所述氯气的流量的取值范围为100sccm-300sccm，用于将所述氯气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为400W-600W，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为100W-200W。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述恢复步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为-20℃～20℃；

所述第二工艺气体还包括三氯化硼，所述三氯化硼的流量的取值范围为15sccm-30sccm。