[发明专利]半导体设备恢复方法

说明书

本发明提供一种半导体设备恢复方法，包括：清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。应用本发明，可有效减少副产物颗粒的掉落，预防后续晶片刻蚀过程中，由于副产物掉落导致的晶片表面产生颗粒污染等问题，从而提高晶片的表面质量，同时可保持刻蚀腔室的长期稳定，有效延长反应腔室及机台的平均维护周期。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体设备恢复方法。

背景技术

刻蚀工艺是微纳制造技术中的重要工艺步骤，其工艺结果对后序器件性能有至关重要的作用。例如，在铝镓铟磷(AlGaInP)基红黄光LED芯片制造过程的切割道刻蚀工艺中，通常是将AlGaInP基材料完全刻蚀，将掩膜材料(如光胶材料、氧化硅材料等)部分刻蚀料。而随着工艺时间的累积，AlGaInP基材料刻蚀过程中产生的副产物会不断附着在反应腔室的内壁，尤其是介质窗上，若无法附着牢固(由于介质窗表面通常比较光滑，更容易附着不牢)则会产生颗粒污染，影响器件电学性能甚至导致晶片报废，产生巨大的经济损失。同时颗粒掉落也会缩短刻蚀机台的维护周期(以下均指因颗粒掉落导致机台开腔维护的周期)，影响机台产能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备恢复方法。

为实现本发明的目的而提供一种半导体设备恢复方法，包括：

清洁步骤，向反应腔室内通入第一工艺气体，将所述第一工艺气体激发成等离子体，以清除所述反应腔室的内壁及介质窗上的残留副产物；

恢复步骤，向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体；所述第二工艺气体用于对所述反应腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀，以在所述反应腔室的内壁及所述介质窗上形成附着层。

可选地，所述方法还包括再恢复步骤，所述再恢复步骤包括：

向所述反应腔室内通入第二工艺气体，将所述第二工艺气体激发成等离子体，所述第二工艺气体用于对腔室内的涂有光胶掩膜的基片进行刻蚀；

所述再恢复步骤于完成一次所述清洁步骤和所述恢复步骤之后的一预设工艺时间段之后，连续执行N次，N为1到5的自然数。

可选地，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续对8-10批次的晶片进行工艺所需要消耗的时长；或者，所述预设工艺时间段为所述反应腔室连续空闲的时长，所述连续空闲的时长大于或等于半小时。

可选地，所述第二工艺气体包括氯气或三氯化硼中的至少一种。

可选地，在所述清洁步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；

所述第一工艺气体包括氧气，所述氧气的流量的取值范围为 200sccm-300sccm，用于将所述氧气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为800W-1200W。

可选地，在所述清洁步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为0℃～20℃，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为0-100W。

可选地，在所述恢复步骤中，所述反应腔室内的压强的取值范围为10mT～20mT；

所述第二工艺气体包括氯气，所述氯气的流量的取值范围为 100sccm-300sccm，用于将所述氯气激发成等离子体的上电极电源功率的取值范围为400W-600W，所述反应腔室内的下电极电源功率取值范围为100W-200W。

可选地，在所述恢复步骤中，所述反应腔室的温度的取值范围为-20℃～20℃；