[发明专利]用于处理基底的方法

权利要求书

1.一种用于在等离子体腔中处理基底的方法，包括：

提供步骤，提供基底，所述基底上形成将被蚀刻的下层和掩模；

形成步骤，在所述掩模上形成保护膜；以及

执行步骤，执行各向异性沉积以在所述掩模的顶部选择性地形成沉积层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述形成步骤通过以下方式形成含硅的所述保护膜：向所述等离子体腔的上电极施加直流电来引起布置在所述基底之上的靶的溅射，或者执行原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述形成步骤形成具有至少一个原子层厚度的保护膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述提供步骤提供所述基底，所述基底上形成有机材料的所述掩模；以及

所述形成步骤形成无机材料或金属的所述保护膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述提供步骤提供所述基底，所述基底上形成含金属的所述掩模。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述提供步骤提供所述基底，所述基底上形成含钨(W)或钛(Ti)的所述掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述执行步骤通过用等离子体使所述基底暴露来执行所述各向异性沉积，所述等离子体产生于含有N₂、O₂、H₂和F中的至少之一与C_xH_y的工艺气体。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述各向异性沉积之后，通过随后用产生于第一气体的等离子体和产生于第二气体的等离子体使所述基底暴露来调整所述基底上的图案的尺寸，所述第一气体引起沉积，所述第二气体引起溅射和蚀刻中的至少之一。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一气体含有Si、C_xH_yF_z以及N₂或O₂，并且所述第二气体含有He、Ne、Ar、Kr、Xe和N₂中的至少之一。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一气体含有Si、C_xH_yF_z以及N₂或O₂，并且所述第二气体含有C_xF_yH_z。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述各向异性沉积之后，从所述掩模之上蚀刻所述下层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述各向异性沉积和所述蚀刻在相同的等离子体腔或相同的系统中执行。

13.一种用于在等离子体腔中处理基底的方法，包括：

提供基底，所述基底上形成将被蚀刻的下层和掩模；

用等离子体使所述基底暴露，所述等离子体产生于以预定比率含有N₂、O₂、H₂和F中的至少之一与C_xH_yF_z的工艺气体，其中，(i)x是不小于1的自然数，y是不小于1的自然数，并且z是零或不小于1的自然数，或者(ii)x是不小于1的自然数，y是零或不小于1的自然数，并且z是不小于1的自然数。