[发明专利]静电卡盘在审
申请号: | 202010064038.0 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN113097117A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 黄正训;刘翰均;曺尚范 | 申请(专利权)人: | 美科陶瓷科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 崔龙铉;李青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 | ||
本发明涉及一种静电卡盘。本发明提供一种静电卡盘,包括:基材;及静电卡盘板,固定于所述基材上,并且包括被施加用于卡紧和解除卡紧的多个电极,所述多个电极具有从所述静电卡盘板的边缘的起点向中心侧的终点延长的螺旋形图案,所述螺旋形图案的旋转角是360°*n(n是1以上且2以下的实数)。
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘,尤其,涉及一种通过改善的静电电极结构获得最佳静电及放电性能的静电卡盘。
背景技术
半导体元件或显示元件是通过化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)工艺、物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD)工艺、离子注入工艺(Ionimplantation)、蚀刻工艺(Etch process)等半导体工艺,将含有电介质层和金属层的多个薄膜层层叠在玻璃基板、柔性基板或者半导体晶片等上并进行图案化而制造。用于执行这种半导体工艺的腔室装置中具有静电卡盘(Electro Static Chuck,ESC),其支撑诸如玻璃基板、柔性基板和半导体晶片等多种基板,尤其,利用静电力固定所述基板。
在离子注入工艺或者其他半导体工艺装置中,为了牢固地吸附基板,静电卡盘需要提供充分的夹紧力(clamping force),并且需要快速将基板卡紧和解除卡紧。为此,使用通过交流电压驱动的静电卡盘,所述静电卡盘可以保持夹紧压力并改善基板的卡紧和解除卡紧时间。
在吸附半导体晶片等基板后以特定注入角竖立的状态进行工艺,或者将静电卡盘(ESC)在X轴和Y轴方向上快速扫描等工艺中移动时,交流静电卡盘应保持强静电力和均匀的静电力,以防止基板掉落。为了解决这样的问题以往变更过电极图案,但是仍然发生同样问题。
作为相关文献,韩国专利申请第10-2014-7010453号中公开了对称的电极结构,但是由于电极间的间隙长度短而存在卡紧力小的问题,并且韩国授权专利第10-1896127号中公开了用于加长电极间的间隙长度的结构,但是由于该结构不是在整个区域下实现均匀的电极面积的结构,存在无法实现均匀的卡紧和解除卡紧的问题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
因此,为了解决所述问题提出了本发明,本发明的目的在于提供一种在通过交流电压驱动的交流静电卡盘中实现均匀的卡紧和解除卡紧的电极设置。
(二)技术方案
为了解决所述技术问题,根据本发明的一个方面的静电卡盘,包括:基材;及静电卡盘板,固定于所述基材上,并且包括被施加用于卡紧和解除卡紧的偏压的多个电极,所述多个电极具有从所述静电卡盘板的边缘的起点向中心侧的终点延长的螺旋形图案,所述螺旋形图案的旋转角是360°*n(n是1以上且2以下的实数)。
在本发明中,所述多个电极优选旋转对称。
本发明的特征在于,所述多个电极包括第一极性的多个第一电极和第二极性的多个第二电极,所述第一电极和所述第二电极径向交替。
此时,所述多个第一电极和所述多个第二电极的总数优选为偶数。
另外,所述多个第一电极和所述多个第二电极的各个面积优选相同。
另外,所述多个第一电极和所述多个第二电极可以分别在所述静电卡盘板的起点和所述终点之间具有1个以上的弯曲部。
另外,所述多个第一电极和所述多个第二电极可以分别在所述静电卡盘板的起点和所述终点之间具有波动的轮廓线。
在本发明中,所述多个第一电极或所述多个第二电极可以在所述静电卡盘板的起点和所述终点之间包括用于冷却气体孔的一个以上的孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美科陶瓷科技有限公司,未经美科陶瓷科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010064038.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车散热器芯体钎焊托架
- 下一篇:液晶高分子膜及包含其的积层板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造