[发明专利]射频滤波器的制备方法

权利要求书

1.一种射频滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

在基体的正表面上形成谐振结构；

基于所述谐振结构在基体的正表面上形成支撑电极；以及

在所述基体上形成以所述支撑电极为间隔的薄膜结构，其中包括：

在所述具有支撑电极的基体上、对应所述支撑电极的顶端的端面上贴覆一层膜层，

对所述膜层进行固化；以及

在所述已固化的膜层上形成多个通孔和多个锚定开口；

基于所述多个通孔和多个锚定开口在所述膜层的背表面上分别对应形成多个引电极和多个锚定部；

其中，所述支撑电极包括：

第一支撑电极，所述第一支撑电极相对所述基体向外凸设于所述基体的所述正表面的边缘，同时所述第一支撑电极围绕所述基体的正表面的边缘呈一环形封闭结构；

多个第二支撑电极，所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极相对所述基体向外按一定分布凸设于所述基体的正表面的中部，同时所述多个第二支撑电极被所述第一支撑电极围绕在所述基体的正表面的中部；

其中，所述多个通孔中的每个通孔与所述多个第二支撑电极的每个第二支撑电极的顶端的端面的中间位置对应设置、并穿设于所述膜层；所述多个锚定开口沿所述膜层边缘对应设置于所述第一支撑电极的上方。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述谐振结构在基体的正表面上形成支撑电极，包括：

在基体的正表面上形成一层牺牲层；

在所述牺牲层上形成一层种子层；以及

基于所述谐振结构在所述种子层上形成所述支撑电极，

其中，所述支撑电极的顶端的端面与所述薄膜结构的正表面密封接触。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述谐振结构在所述种子层上形成所述支撑电极之后，还包括：

去除暴露于所述基体正表面上、支撑电极区域之外的种子层，形成对应支撑电极的第一种子层和多个第二种子层；

其中，所述第一种子层设置于所述第一支撑电极和所述基体之间；

所述多个第二种子层中的每个第二种子层相对设置于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极与所述基体之间；

其中，所述第一种子层和所述多个第二种子层中的每个第二种子层的材料为钛、钨、金、铜或上述金属之间的组合。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述谐振结构在所述种子层上形成所述支撑电极之后，还包括：

在所述支撑电极的顶端的端面上形成密封结构；

所述密封结构包括：

第一密封结构，所述第一密封结构设置于所述第一支撑电极的顶端的端面上；

多个第二密封结构，所述多个第二密封结构中的每个第二密封结构对应于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极、设置于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极的顶端的端面上；

其中，所述第一密封结构和所述多个第二密封结构的每个第二密封结构均包括对应设置的多个凸出部或凹陷部。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述对所述膜层进行固化的固化温度为T，T≥250℃；

其中，所述膜层间隔所述支撑电极设置于所述基体上，所述支撑电极的顶端的端面与所述膜层的正表面密封接触，其中，所述膜层被进行固化之后的厚度为m，10μm≤m≤60μm。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述多个锚定开口沿所述膜层边缘对应设置于所述第一支撑电极的上方，所述锚定开口在所述膜层的背表面上的投射尺寸为长c，宽k，c≥40μm，k≥10μm。