[发明专利]射频滤波器的制备方法

说明书

本公开提出了一种射频滤波器的制备方法，该射频滤波器包括：基体、支撑电极和薄膜结构，支撑电极凸设于基体的正表面；薄膜结构间隔支撑电极形成于基体上。支撑电极的顶端的端面与薄膜结构的正表面密封接触。

技术领域

本公开涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种射频滤波器的制备方法。

背景技术

随着5G技术不断发展，射频滤波器的应用与需求不断升级，对于射频滤波器的性能指标要求不断提高。根据声波的传递方式，射频滤波器通常分为：体声波滤波器和声表面波滤波器。其中，声表面波滤波器一般工作在2.5G频率以下，体声波滤波器工作在1.5G～10G频率。

无论是声表面波滤波器还是体声波滤波器，为了保持良好的射频性能指标，对其工作环境有一定的要求，需要制备一个相对密闭空腔(即保护腔)，用以隔绝外部的水气，颗粒，玷污等对器件的影响。常规做法是先制备一张保护性基体，该基体通常是硅，玻璃，陶瓷，金属外壳等，然后采用圆片级键合，焊接等工艺对滤波器进行隔离保护，再通过一系列复杂的流程加工而成，例如，为实现对体声波(Bulk acoustic wave，简称BAW)滤波器器件的保护腔的制备，可以采用以下一些材料、工艺和设备：1)双抛高阻硅片作为保护性基体；2)采用硅穿孔(TSV)和深孔电极填充技术进行通孔电极加工；3)采用材料金作为圆片键合和电极材料；4)需要价格高昂的圆片键合和具有侧向沉积能力的物理气相沉积设备。

因此，使得射频滤波器的整个制备工艺流程较长，工艺实现难度较高，同时，以上这些材料、工艺和设备的应用导致BAW器件的单颗制备成本昂贵，直接影响产品规模化应用和市场竞争力。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为解决上述射频滤波器的整个制备工艺流程较长，工艺实现难度较高，同时，现有制备方法中所采用的材料、工艺和设备的应用导致BAW器件的单颗制备成本昂贵等技术问题，本公开提供了一种射频滤波器的制备方法。

(二)技术方案

本公开提出了一种射频滤波器的制备方法，包括：

在基体的正表面上形成谐振结构；

基于所述谐振结构在基体的正表面上形成支撑电极；以及

在所述基体上形成以所述支撑电极为间隔的薄膜结构。

根据本公开的实施例，所述基于所述谐振结构在基体的正表面上形成支撑电极，包括：

在基体的正表面上形成一层牺牲层；

在所述牺牲层上形成一层种子层；以及

基于所述谐振结构在所述种子层上形成所述支撑电极，

其中，所述支撑电极的顶端的端面与所述薄膜结构的正表面密封接触，所述支撑电极包括：

第一支撑电极，所述第一支撑电极相对所述基体向外凸设于所述基体的所述正表面的边缘，同时所述第一支撑电极围绕所述基体的正表面的边缘呈一环形封闭结构；

多个第二支撑电极，所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极相对所述基体向外按一定分布凸设于所述基体的正表面的中部，同时所述多个第二支撑电极被所述第一支撑电极围绕在所述基体的正表面的中部。

根据本公开的实施例，所述基于所述谐振结构在所述种子层上形成所述支撑电极之后，还包括：

去除暴露于所述基体正表面上、支撑电极区域之外的种子层，形成对应支撑电极的第一种子层和多个第二种子层；

其中，所述第一种子层设置于所述第一支撑电极和所述基体之间；

所述多个第二种子层中的每个第二种子层相对设置于所述多个第二支撑电极中的每个第二支撑电极与所述基体之间；