[发明专利]半导体封装装置

权利要求书

1.一种天线半导体封装装置，其包括：

波导空腔，其具有一辐射开口；及

第一引向元件，其为导电元件且位於所述波导空腔之外且通過第一间隙与所述波导空腔分隔开，其中所述第一引向元件用以利于从所述波导空腔辐射的电磁波产生谐振。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，所述波导空腔包括：

第一导电层；

第二导电层，其在所述第一导电层上方且与所述第一导电层分隔开；及

第一导电元件，其将所述第一导电层连接到所述第二导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其进一步包括第二引向元件，所述第二引向元件邻近于所述第二导电层且通過第二间隙与所述第二导电层分隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其进一步包括：

多个第三引向元件，其邻近于所述第一引向元件且与所述第一引向元件分隔开，其中所述多个第三引向元件中的任何两个彼此分离；及

多个第四引向元件，其邻近于所述第二引向元件安置且与所述第二引向元件分隔开，其中所述多个第四引向元件中的任何两个彼此分离。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述第一引向元件与所述多个第三引向元件中的任一个大体上平行，且所述第二引向元件与所述多个第四引向元件中的任一个大体上平行。

6.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述第二引向元件对应于所述第一引向元件定位。

7.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其进一步包括第二导电元件，所述第二导电元件将所述第二引向元件的边缘电连接到所述第一引向元件的边缘。

8.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述辐射开口的宽度与所述第二引向元件的宽度大体上相同。

9.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其进一步包括：

馈电层，其安置在所述第二导电层上方且与所述第二导电层分隔开；及

第三导电元件，其连接所述馈电层且从所述馈电层延伸到所述波导空腔且穿过所述第二导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其中所述第三导电元件穿过由所述第二导电层界定的开口。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其进一步包括第四导电元件及安置在所述馈电层上方且与所述馈电层分隔开的第三导电层，其中所述第三导电层通过第四导电元件电连接到所述第二导电层。

12.根据权利要求11所述的半导体封装装置，其进一步包括衬底，其中：

所述第一导电层位于所述衬底的第一层，

所述第二导电层位于所述衬底的第二层，

所述馈电层位于所述衬底的第三层，且

所述第三导电层位于所述衬底的顶部表面。

13.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述第一引向元件位于所述衬底的所述第一层，且所述第二引向元件位于所述衬底的所述第二层。

14.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中在所述衬底的所述顶部表面上存在相对于所述第二引向元件的空闲区域。

15.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述衬底具有第一侧表面及大体上垂直于所述第一侧表面的第二侧表面，且所述第一引向元件与所述第二侧表面之间存在距离。

16.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述衬底的所述顶部表面上的电子组件，其中所述衬底包括在所述衬底内的电连接件，且所述电子组件通过在所述衬底内的所述电连接件电连接到所述馈电层。