[发明专利]聚合物薄膜制备系统

权利要求书

1.一种聚合物薄膜制备系统，该聚合物薄膜制备系统包括：

一放卷辊筒；

一收卷辊筒；以及

一除静电装置；

其特征在于，所述除静电装置包括一碳纳米管结构和一基底，所述碳纳米管结构设置于所述基底上，并与所述基底电连接，所述碳纳米管结构设置于所述放卷辊筒和所述收卷辊筒之间的聚合物薄膜路径一侧。

2.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包含多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管，所述碳纳米管的排列方向垂直于所述基底。

3.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜由沿一固定方向取向或不同方向取向有序排列的多个碳纳米管构成，所述碳纳米管层中的碳纳米管之间部分交叠。

4.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构为一碳纳米管浆料涂覆在所述基底的表面，所述碳纳米管浆料远离所述记得的表面包括多个碳纳米管毛刺。

5.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构为一碳纳米管水平阵列膜，该碳纳米管水平阵列膜包括多个平行于碳纳米管膜表面的超长碳纳米管，且超长碳纳米管彼此平行排列。

6.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构包括固定端和自由端。

7.权利要求6所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述自由端的长度大于1厘米，且该自由端与聚合物薄膜接触并能够随聚合物薄膜起伏。

8.权利要求6所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述自由端的长度小于1厘米，且该自由端与聚合物薄膜不接触。

9.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述基底的材料包括金属材料、碳材料或导电聚合物材料中的至少一种。

10.如权利要求1所述的聚合物薄膜制备系统，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管长线，所述碳纳米管长线包括多个碳纳米管尖端。