[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010066488.3 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111583981B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 太田健介;斋藤真澄;佐久间究 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C5/06;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置，具有：
第1布线，其在第1方向上延伸；
多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，在所述第1方向上排列；以及
多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间，
从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压，
所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置，
所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述多个存储膜与所述第1布线的连接面积按每个所述存储膜从所述第1方向上的所述第1电压供给侧向其相反侧增加。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述多个存储膜与所述第1布线的连接面积按每多个存储膜从所述第1方向上的所述第1电压供给侧向其相反侧增加。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
还具备第3布线，所述第3布线隔着所述第2布线与所述第1布线相对向地配置，与所述第1布线平行地延伸，
当将设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间的多个存储膜作为第1组的存储膜时，
在所述第3布线与所述多条第2布线之间具有第2组的多个存储膜，
从所述第3布线的作为所述第1方向上的与所述第1电压供给侧相反的一侧的第2电压供给侧供给对于所述第2组的存储膜写入以及读出数据所需要的电压，
所述第2组的多个存储膜包括第3存储膜和第4存储膜，所述第4存储膜配置在比所述第3存储膜离所述第2电压供给侧远的位置，
所述第4存储膜与所述第3布线的连接面积比所述第3存储膜与所述第3布线的连接面积大。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
还具备第3布线，所述第3布线隔着所述第2布线与所述第1布线相对向地配置，与所述第1布线平行地延伸，
当将设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间的多个存储膜作为第1组的存储膜时，
在所述第3布线与所述多条第2布线之间具有第2组的多个存储膜，
从所述第3布线的所述第1电压供给侧供给对于所述第2组的存储膜写入以及读出数据所需要的电压，
所述第2组的多个存储膜包括第3存储膜和第4存储膜，所述第4存储膜配置在比所述第3存储膜离所述第1电压供给侧远的位置，
所述第4存储膜与所述第3布线的连接面积比所述第3存储膜与所述第3布线的连接面积大。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体存储装置，
所述存储膜是根据电阻值的变化来存储数据的电阻变化存储膜。
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