[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 202010066488.3 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111583981B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 太田健介;斋藤真澄;佐久间究 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C5/06;H10B63/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有:第1布线,其在第1方向上延伸;多条第2布线,其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸,沿所述第1布线在所述第1方向上排列;以及多个存储膜,其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜,所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
本申请享有以日本专利申请2019-25690号(申请日:2019年2月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
实施方式涉及半导体存储装置。
背景技术
作为存储大容量数据的半导体存储装置,已知例如使存储膜的电阻值变化来存储信息的电阻变化型半导体存储装置。在这种半导体存储装置中使用的存储膜通过在两端施加电压来使电阻值变化而存储数据。
发明内容
实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。
实施方式涉及的半导体存储装置具有:第1布线,其在第1方向上延伸;多条第2布线,其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸,沿所述第1布线在所述第1方向上排列;以及多个存储膜,其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜,所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的半导体存储装置的框图。
图2是该半导体存储装置的存储单元阵列的等效电路图。
图3是表示该存储单元阵列的构成的立体图。
图4是表示该存储单元阵列的构成的俯视图。
图5的(a)、(b)是用于说明该半导体存储装置的效果的图。
图6是用于说明该半导体存储装置的效果的图。
图7~图15是表示该半导体存储装置的制造方法的立体图。
图16是表示第2实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视图。
图17是表示第3实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视图。
图18是表示第4实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视图。
图19是表示第5实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视图。
图20是表示第6实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式涉及的半导体存储装置进行详细的说明。此外,以下的实施方式不过是一个例子,并不是以限定本发明的意图来表示的。
[第1实施方式]
图1是第1实施方式涉及的半导体存储装置的框图。
本实施方式涉及的半导体存储装置1具备:存储单元阵列11、从存储单元阵列11中选择所希望的存储单元MC的行译码器12以及列译码器13、向这些译码器12、13提供行地址以及列地址的高位块译码器14、对半导体存储装置1的各部供给电力的电源15、以及对这些进行控制的控制电路16。
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