[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有源漏区；

在所述基底上形成层间介质层；

在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；

采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；

形成所述金属硅化物层之后，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述层间介质层接触；形成所述扩散阻挡层之后，在所述接触孔内形成导电插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括MoSix、TiSi、NiSi或RuSi。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述金属硅化物层的材料为TiSi时，所述选择性原子层沉积工艺的参数包括：反应气体包括TiCl₄和SiH₄，反应温度为300℃～700℃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括W、Co、Ru或Ni。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面也形成有扩散阻挡层；或者，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面未被扩散阻挡层覆盖。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层为单层结构，所述扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层包括第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层的步骤包括：

在所述接触孔的侧壁上形成第一扩散阻挡层；

在所述第一扩散阻挡层的表面形成第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层不覆盖金属硅化物层的顶部表面，第二扩散阻挡层的导电率大于第一扩散阻挡层的导电率。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层的材料为氧化铝；所述第二扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃；所述第二扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部；

所述半导体器件的形成方法还包括：在所述半导体衬底上形成横跨所述鳍部的栅极结构；所述源漏区分别位于所述栅极结构的两侧的鳍部中。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源漏区的材料包括掺杂有导电离子的SiP或SiGe。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触孔的孔径为10nm～13nm。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底内的源漏区；

位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层中具有贯穿所述层间介质层且位于所述源漏区上的接触孔；

位于所述接触孔底部的源漏区表面的金属硅化物层；

位于所述接触孔侧壁的扩散阻挡层，所述接触孔侧壁的扩散阻挡层与层间介质层直接接触；

位于所述接触孔内的导电插塞。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括MoSix、TiSi、NiSi或RuSi。