[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底内具有源漏区；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层之后在所述接触孔内形成导电插塞。上述的方案，可以提高所形成的半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

传统的平面的场效应晶体管对沟道电流的控制能力较弱，随之产生了一种新的互补式金氧半导体晶体管—鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)。鳍式场效应晶体管是新型的多栅器件，其一般包括凸出于基底表面的鳍部，横跨所述鳍部的栅极，以及位于栅极两侧的鳍部内的源漏掺杂区。

现有工艺所形成的半导体器件的性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供基底，所述基底内具有源漏区；

在所述基底上形成层间介质层；

在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；

采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；

形成所述金属硅化物层之后，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述层间介质层接触；形成所述扩散阻挡层之后，在所述接触孔内形成导电插塞。

可选地，所述金属硅化物层的材料包括MoSix、TiSi、NiSi或RuSi。

可选地，当所述金属硅化物层的材料为TiSi时，所述选择性原子层沉积工艺的参数包括：反应气体包括TiCl4和SiH4，反应温度为300℃～700℃。

可选地，所述导电插塞的材料包括W、Co、Ru或Ni。

可选地，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面也形成有扩散阻挡层；或者，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面未被扩散阻挡层覆盖。

可选地，所述扩散阻挡层为单层结构，所述扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。

可选地，所述扩散阻挡层包括第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层的步骤包括：

在所述接触孔的侧壁上形成第一扩散阻挡层；

在所述第一扩散阻挡层的表面形成第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层不覆盖金属硅化物层的顶部表面，第二扩散阻挡层的导电率大于第一扩散阻挡层的导电率。

可选地，所述第一扩散阻挡层的材料为氧化铝；所述第二扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。

可选地，所述第一扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃；所述第二扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃。

可选地，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部；

所述半导体器件的形成方法还包括：在所述半导体衬底上形成横跨所述鳍部的栅极结构；所述源漏区分别位于所述栅极结构的两侧的鳍部中。

可选地，所述源漏区的材料包括掺杂有导电离子的SiP或SiGe。

可选地，所述接触孔的孔径为10nm～13nm。

本发明实施例还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：