[发明专利]一种GaSb基InSb量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 202010066837.1 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244761B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;张晓蕾;王庶民;岳丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gasb insb 量子 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaSb基InSb量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取GaSb衬底；
将所述GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；所述脱氧处理的脱氧温度为630-680℃；所述脱氧处理的脱氧时间为10-20分钟；
在所述GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；所述GaSb缓冲层的厚度为100-200纳米；所述GaSb缓冲层的生长温度为580-630℃；
在所述GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；所述AlAs形核层的厚度为0.5-1个原子层；所述AlAs形核层的生长温度为380-480℃；
在所述AlAs形核层上生长InSb量子点层；所述InSb量子点层的厚度为2-3个原子层；所述InSb量子点层的生长温度为380-480℃。
2.一种GaSb基InSb量子点，其特征在于，利用权利要求1所述的制备方法制备得到，所述GaSb基InSb量子点包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、AlAs形核层和InSb量子点层；
所述GaSb衬底、所述GaSb缓冲层、所述AlAs形核层和所述InSb量子点层依次层叠连接。
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