[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010067903.7 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111244035B | 公开(公告)日: | 2023-02-07 |
发明(设计)人: | 刘宁;王海涛;胡迎宾;王庆贺;宋威;倪柳松 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/311 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成无机绝缘薄膜;
利用刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,以得到无机绝缘层;其中,所述刻蚀液包括氢氟酸;
其中,所述利用刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,以得到所述无机绝缘层,包括:
在栅极背离所述衬底一侧依次形成所述无机绝缘薄膜和光刻胶;
利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成完全保留部分、半保留部分和完全去除部分;所述完全去除部分与待形成的第一过孔对应,所述半保留部分与待形成的第二过孔对应,所述完全保留部分与其他区域对应;
利用所述刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,形成无机绝缘图案;
采用灰化工艺去除所述半保留部分;
利用所述刻蚀液对所述无机绝缘图案和缓冲薄膜进行刻蚀;
采用干法刻蚀对所述无机绝缘图案和所述缓冲薄膜进行刻蚀;
得到所述无机绝缘层和缓冲层,所述第一过孔露出导电层,所述第二过孔露出有源图案;其中,
沿所述无机绝缘层指向所述衬底的方向,所述第一过孔的侧壁包括第一子侧壁、第二子侧壁、以及第三子侧壁;所述第一子侧壁与水平方向之间的夹角范围为10°~30°;所述第二子侧壁与水平方向之间的夹角范围为20°~50°;所述第三子侧壁与水平方向之间的夹角范围为60°~90°。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在形成所述无机绝缘薄膜之前,所述显示基板的制备方法还包括:
依次在所述衬底上形成所述导电层、所述缓冲薄膜、以及薄膜晶体管的所述有源图案、栅绝缘层、所述栅极;
所述无机绝缘层用作所述薄膜晶体管的层间绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述有源图案的材料包括金属氧化物。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板的制备方法,其特征在于,利用所述刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,形成无机绝缘图案,包括:
利用所述刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀,形成所述无机绝缘图案;其中,所述无机绝缘图案中被刻蚀的部分的厚度等于所述缓冲薄膜的厚度。
5.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在采用干法刻蚀对所述无机绝缘图案进行刻蚀之前,所述无机绝缘图案中与所述第一过孔对应的部分的厚度大于0。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述栅极背离所述衬底一侧依次形成源漏金属层和平坦层;
所述无机绝缘层还用作所述平坦层。
7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述刻蚀液还包括氟化氨。
8.一种显示基板,其特征在于,由权利要求1-7任一项所述的显示基板的制备方法制备得到。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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