[发明专利]用于动态抓点的芯片失效分析的方法在审

专利信息
申请号: 202010069875.2 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN111273152A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 张雨田;曾志敏;张庆文 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 罗雅文
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 动态 抓点 芯片 失效 分析 方法
【说明书】:

本申请公开了一种用于动态抓点的芯片失效分析的方法,涉及芯片失效分析领域。该方法包括将待测芯片安装在PCB板上,所述PCB板上至少设置有芯片连接座、电池和芯片引脚插针;将所述待测芯片通过所述PCB板上的引脚插针与测试机连接;将所述测试机、所述待测芯片与所述电池连接;通过所述测试机向所述待测芯片发送激励模式,所述激励模式用于令所述待测芯片进入预定激发状态中的一种;断开所述测试机与所述待测芯片、所述PCB板的连接;解决了目前进行动态抓点时需要搬动测试机的问题;达到了避免搬动测试机台,不限制测试机的位置,维持芯片状态方便进行动态抓点的效果。

技术领域

本申请涉及芯片失效分析领域,具体涉及一种用于动态抓点的芯片失效分析的方法。

背景技术

集成电路芯片在研制、生产和使用过程中难免会发生失效,为了找到芯片失效的原因,需要对失效的芯片进行失效分析。在对失效芯片定位缺陷位置时,可以采用动态抓点的方式。动态抓点常用的技术包括光束诱导电阻变化(Optical Beam Induced ResistanceChange,OBIRCH)和微光显微镜(Emission Microscope,EMMI),若芯片处于特定状态,则芯片电路会有特定电平状态,有缺陷的芯片在某些位置可能会出现如下特征:1、激光照射后热特性不同,进而影响电源上的电流;2、有不同于正常芯片的光子发射出来,因此可以通过这些特征定位缺陷位置。

目前在进行动态抓点时令芯片进入特定状态的方法有两种,一是使用FPGA(FieldProgrammable Gate Array,现场可编程逻辑门阵列)产生pattern(模式),二是使用测试机发送pattern。然而,采用方法一需要另外开发相应地FPGA程序,采用方法二需要搬动测试机。

发明内容

本申请提供了一种用于动态抓点的芯片失效分析的方法,可以解决相关技术中需要开发FPGA程序或者需要搬动测试机进行动态抓点的问题。

一方面,本申请实施例提供了一种用于动态抓点的芯片失效分析的方法,该方法包括:

将待测芯片安装在PCB板上,PCB板上至少设置有芯片连接座、电池和芯片引脚插针;

将待测芯片通过PCB板上的引脚插针与测试机连接;

将测试机、待测芯片与电池连接;

通过测试机向待测芯片发送激励模式,激励模式用于令待测芯片进入预定激发状态中的一种;

断开测试机与待测芯片、PCB板的连接。

可选的,该方法还包括:

将待测芯片的测试引脚与状态监控设备连接,状态监控设备用于监控待测芯片是否维持进入的预定激发状态。

可选的,该方法还包括:

将PCB板移动至抓点机台,对待测芯片进行动态抓点。

可选的,在PCB板上,电池的正极和负极之间连接有稳压电容。

可选的,待测芯片通过芯片引脚插针与的电池的正极、负极连接。

可选的,在PCB板上,芯片连接座的两侧分别设置有3排芯片引脚插针,每排芯片引脚插针与芯片连接座连接。

可选的,电池为锂电池。

可选的,预定激发状态至少包括擦状态、写状态、读状态、静态电流状态、动态电流状态。

本申请技术方案,至少包括如下优点:

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