[发明专利]半导体器件和其制造方法在审
| 申请号： | 202010070601.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112542509A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;吕俊颉;江宏礼;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一多晶材料图案，在所述衬底上方且从所述衬底向外突出，其中所述第一多晶材料图案包括第一有源部分和接合到所述第一有源部分的第一多晶材料部分；
第一导电元件，在所述衬底上方，其中所述第一导电元件包括所述第一多晶材料部分和覆盖所述第一多晶材料部分的第一金属导电部分；
第一半导体层，在所述衬底上方并且覆盖所述第一多晶材料图案的所述第一有源部分和所述第一导电元件；以及
第一栅极结构，在所述第一半导体层的部分上方且位于所述第一有源部分内。
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