[发明专利]半导体器件和其制造方法

说明书

本发明实施例是有关于一种半导体器件以及其制造方法。本公开实施例提供一种半导体器件，包含衬底、第一多晶材料图案、第一导电元件、第一半导体层以及第一栅极结构。第一多晶材料图案在衬底上方且从衬底向外突出，其中第一多晶材料图案包含第一有源部分和接合到第一有源部分的第一多晶材料部分。第一导电元件在衬底上方，其中第一导电元件包含第一多晶材料部分以及覆盖所述第一多晶材料部分的顶表面和侧壁中的至少一个的第一金属导电部分。第一半导体层在衬底上方并且覆盖第一多晶材料图案的第一有源部分和第一导电元件。第一栅极结构在第一半导体层上方且位于第一有源部分内。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体器件以及其制造方法。

背景技术

当半导体器件的大小不断按比例缩小时，尽管实施各种增强技术，但当前半导体器件(例如，硅基的晶体管)的性能可扩展性(performance scalability)仍达到基本限制。正在考虑例如锗(Ge)和III-V族半导体材料的替代半导体材料，但这些成本相对较高的材料的超薄主体性能可扩展性仍是一大难题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件，包含衬底、第一多晶材料图案、第一导电元件、第一半导体层以及第一栅极结构。第一多晶材料图案在衬底上方且从衬底向外突出，其中第一多晶材料图案包含第一有源部分和接合到第一有源部分的第一多晶材料部分。第一导电元件在衬底上方，其中第一导电元件包含第一多晶材料部分以及覆盖所述第一多晶材料部分的顶表面和侧壁中的至少一个的第一金属导电部分。第一半导体层在衬底上方并且覆盖第一多晶材料图案的第一有源部分和第一导电元件。第一栅极结构在第一半导体层上方且位于第一有源部分内。

附图说明

结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1A到图1C是根据本公开的一些实施例的半导体器件的制造方法中的各个阶段的示意性透视图。

图2A到图2C是根据本公开的一些实施例的半导体器件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图3是示出根据本公开的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。

图4A到图4B是根据本公开的一些实施例的半导体器件的示意性横截面视图。

图5A到图5D是根据本公开的一些实施例的导电元件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图6A到图6B是根据本公开的一些实施例的导电元件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图7A到图7C是根据本公开的一些实施例的导电元件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图8A到图8B是根据本公开的一些实施例的导电元件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图9A到图9B是根据本公开的一些实施例的导电元件的制造方法中的各个阶段的示意性横截面视图。

图10是示出根据本公开的一些实施例的制造导电元件的方法的流程图。

图11A是根据本公开的一些实施例的半导体器件的示意性透视图。

图11B和图11C是根据本公开的一些实施例的半导体器件的示意性横截面视图。

图12是示出根据本公开的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。

图13是根据本公开的一些实施例的半导体器件的示意性透视图。

图14A到图14C是根据本公开的一些实施例的半导体器件的示意性横截面视图。