[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1配线及第2配线，在第1方向上排列，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

第3配线，设置在所述第1配线及所述第2配线之间，且在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；

第1相变层，设置在所述第1配线与所述第3配线之间；

第1导电层，设置在所述第1相变层的所述第1配线侧的面；

第2导电层，设置在所述第1相变层的所述第3配线侧的面；

第2相变层，设置在所述第3配线与所述第2配线之间；

第3导电层，设置在所述第2相变层的所述第3配线侧的面；以及

第4导电层，设置在所述第2相变层的所述第2配线侧的面；且

所述第1导电层及所述第4导电层的导热率大于所述第2导电层及所述第3导电层的导热率、或小于所述第2导电层及所述第3导电层的导热率。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层及所述第4导电层、或所述第2导电层及所述第3导电层具备在所述第1方向上交替地排列且导热率不同的多个第1膜及多个第2膜。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

第1非线性元件层，设置在所述第1配线及所述第1导电层之间；以及

第2非线性元件层，设置在所述第3配线及所述第3导电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

第3非线性元件层，设置在所述第1配线及所述第1导电层之间；以及

第4非线性元件层，设置在所述第2配线及所述第4导电层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

第5非线性元件层，设置在所述第3配线及所述第2导电层之间；以及

第6非线性元件层，设置在所述第3配线及所述第3导电层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层及所述第4导电层的导热率小于所述第2导电层及所述第3导电层的导热率，或者所述第1导电层及所述第4导电层在所述第1方向上的厚度大于所述第2导电层及所述第3导电层在所述第1方向上的厚度，且

在写入动作中，所述第1配线及所述第2配线的至少一个的电压小于所述第3配线的电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层及所述第4导电层的导热率大于所述第2导电层及所述第3导电层的导热率，或者所述第1导电层及所述第4导电层在所述第1方向上的厚度小于所述第2导电层及所述第3导电层在所述第1方向上的厚度，且

在写入动作中，所述第1配线及所述第2配线的至少一个的电压大于所述第3配线的电压。

8.一种半导体存储装置，具备：

第1配线及第2配线，在第1方向上排列，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

第3配线，设置在所述第1配线及所述第2配线之间，且在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；

第1相变层，设置在所述第1配线与所述第3配线之间；

第1导电层，设置在所述第1相变层的所述第1配线侧的面；

第2导电层，设置在所述第1相变层的所述第3配线侧的面；

第2相变层，设置在所述第3配线与所述第2配线之间；

第3导电层，设置在所述第2相变层的所述第3配线侧的面；以及

第4导电层，设置在所述第2相变层的所述第2配线侧的面；且

在所述第1方向上，所述第1导电层及所述第4导电层的厚度大于所述第2导电层及所述第3导电层的厚度、或小于所述第2导电层及所述第3导电层的厚度。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其具备：

第1非线性元件层，设置在所述第1配线及所述第1导电层之间；以及

第2非线性元件层，设置在所述第3配线及所述第3导电层之间。