[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

上部电极，配置在处理室；

载置台，在所述处理室内与所述上部电极对向配置，具有下部电极，且载置被处理基板；

高频供电部，对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力；

虚设环，包围载置在所述载置台的所述被处理基板的环状周缘部；及

冷却部，在所述虚设环与所述被处理基板的交界区域中，从自所述被处理基板离开的方向侧冷却所述虚设环。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中

所述冷却部具有：

流路，设置在所述虚设环的内部且用来输送热输送流体；及

供给部，对所述流路输送所述热输送流体。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中

所述虚设环包含：

内侧虚设环，包围所述被处理基板的所述环状周缘部；

外侧虚设环，在所述内侧虚设环的外周侧与所述内侧虚设环同心圆地配置；及

支撑环，接触配置在所述外侧虚设环，且支撑所述外侧虚设环；

所述流路，

配置在所述内侧虚设环、所述外侧虚设环、及所述支撑环中至少一者的内部，

该等离子体处理装置，

还具备隔着所述支撑环而使所述外侧虚设环上下移动的驱动部。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中

所述流路，

配置在至少所述支撑环的内部。

5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其中

所述流路包括：

第1流路，配置在所述内侧虚设环的内部；及

第2流路，配置在所述支撑环的内部；

所述供给部具有：

第1供给部，对所述第1流路供给所述热输送流体；及

第2供给部，对所述第2流路供给所述热输送流体。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中

所述第2供给部，

将比输送至所述第1流路的所述热输送流体低温的所述热输送流体输送至所述第2流路。

7.根据权利要求2至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述流路配置为螺旋状。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中

所述虚设环具有导热性。

9.一种等离子体处理方法，其是利用等离子体处理装置执行的等离子体处理方法，且在对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力时，根据载置在所述载置台的所述被处理基板的温度，调整所述虚设环的冷却温度，

上述等离子体处理装置具备：

上部电极，配置在处理室；

载置台，在所述处理室内与所述上部电极对向配置，具有下部电极，且载置被处理基板；

高频供电部，对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力；

虚设环，包围载置在所述载置台的所述被处理基板的环状周缘部；及

冷却部，在所述虚设环与所述被处理基板的交界区域中，从自所述被处理基板离开的方向侧冷却所述虚设环。