[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

说明书

实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。实施方式的等离子体处理装置具备配置在处理室的上部电极、载置台、高频供电部、虚设环、及冷却部。载置台在处理室内与上部电极对向配置，具有下部电极，且载置晶片。高频供电部对下部电极与上部电极之间供给高频电力。虚设环为包围载置在载置台的晶片的环状周缘部的环状部件。在虚设环与晶片的交界区域中，从自晶片离开的方向侧由冷却部将虚设环冷却。

[相关申请案]

本申请案享有以2019年8月5日申请的日本专利申请案编号2019-143654的优先权的利益，该日本专利申请案的所有内容被引用在本申请案中。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术

在等离子体处理装置中，揭示了一种技术，即，通过在半导体晶片的外周配置包围该半导体晶片的外周的环状部件，来控制半导体晶片的外周附近的等离子体。另外，揭示了通过使环状部件上下驱动，来调整环状部件的上表面位置的技术。在这样的技术中，要求抑制等离子体处理时的向半导体晶片的热输入。

发明内容

实施方式提供一种能够抑制等离子体处理中的向被处理基板的热输入的等离子体处理装置及等离子体处理方法。

实施方式的等离子体处理装置具备：上部电极，配置在处理室；载置台，在所述处理室内与所述上部电极对向配置，具有下部电极，且载置被处理基板；高频供电部，对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力；虚设环，包围载置在所述载置台的所述被处理基板的环状周缘部；及冷却部，在所述虚设环与所述被处理基板的交界区域中，从自所述被处理基板离开的方向侧冷却所述虚设环。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的构成例的图。

图2是实施方式的晶片及虚设环的俯视图。

图3是将实施方式的等离子体处理装置的包含冷却部的部分放大表示的示意图。

图4A～D是实施方式的等离子体处理装置的一部分的示意图。

图5是表示实施方式的虚设环的冷却温度调整的流程的一例的流程图。

具体实施方式

以下，参照随附附图，详细地说明实施方式的等离子体处理装置及等离子体处理方法。此外，本发明并不由下述实施方式限定。另外，下述实施方式中的构成要素包含业者能够容易地设想者或实质上相同者。

图1是表示实施方式的等离子体处理装置100的构成例的图。

等离子体处理装置100具备处理室10、上部电极12、载置台14、高频供电部16、虚设环18、冷却部20、及控制部50。

处理室10是用来对晶片22执行等离子体处理的处理室。处理室10例如为铝或不锈钢等金属制的圆筒型真空容器。处理室10的内部作为进行等离子体处理的处理室发挥功能。

上部电极12配置在处理室10。上部电极12只要配置于在与下述的下部电极24之间能够产生等离子体的位置即可。具体来说，上部电极12配置在处理室10内。

晶片22为作为被等离子体处理的对象的被处理基板的一例。晶片22也存在被称为半导体晶片、半导体基板的情况。

载置台14为用来将晶片22载置在载置面14A上的台。载置台14配置在处理室10内，且相对于上部电极12对向配置。详细来说，载置台14的载置面14A相对于上部电极12隔着处理室10内的空间而对向配置。

载置台14具有下部电极24及绝缘部26。下部电极24相对于上部电极12，隔着绝缘部26及处理室10内的空间而对向配置。