[发明专利]晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种晶体管，包括：基底和设置在所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极分设于所述有源层的相对两端；所述有源层包括有源区和围设在所述有源区外侧的周边区，所述有源区与所述周边区相对接，所述有源区在所述基底上的正投影至少对应所述源极和所述漏极之间的间隔区域在所述基底上的正投影，其特征在于，

所述有源区包括第一区和第二区，所述第一区围设于所述第二区的外围且所述第一区和所述第二区相对接，所述第一区采用非晶硅材料，所述第二区采用多晶硅材料；

所述源极和所述漏极均分别与所述有源区连接。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极均分别与所述第一区接触并连接，或者，所述源极和所述漏极还均分别与所述第二区接触并连接。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二区为条形，所述第一区为条形，所述第一区和所述第二区平行排布，所述第二区夹设于所述第一区之间；所述第一区和所述第二区的长度方向均沿所述源极与所述漏极的连线方向；

且沿所述源极和所述漏极的连线方向，所述源极连接所述第一区和所述第二区的一端端面，所述漏极连接所述第一区和所述第二区的另一端端面。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第一区封闭式地围绕在所述第二区的外围；

且沿所述源极和所述漏极的连线方向，所述源极连接所述第一区的一端端面，所述漏极连接所述第一区的另一端端面。

5.根据权利要求3或4所述的晶体管，其特征在于，还包括中间导通层和刻蚀阻挡层，所述源极和所述漏极位于所述有源层的背离所述基底的一侧；

所述中间导通层位于所述源极和所述漏极的靠近所述有源层的一侧，且与所述源极和所述漏极相接触，所述中间导通层在所述基底上的正投影至少部分位于所述周边区；

所述刻蚀阻挡层位于所述中间导通层的靠近所述有源层的一侧，且所述刻蚀阻挡层在所述基底上的正投影位于所述有源区且覆盖所述有源区；

所述栅极位于所述有源层的靠近所述基底的一侧，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述第一区还延伸至所述周边区，且所述第一区延伸至所述周边区的部分在所述基底上的正投影覆盖所述周边区，并形成所述周边区的第一非晶硅层。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第一非晶硅层与所述中间导通层相接触。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述周边区还设置有第二非晶硅层，所述第二非晶硅层位于所述中间导通层与所述第一非晶硅层之间；

所述第二非晶硅层与所述中间导通层和所述第一非晶硅层分别相接触。

9.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述周边区设置有第二非晶硅层，所述第二非晶硅层与所述中间导通层相接触。

10.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述第一区和所述第二区均延伸至所述周边区，且所述第一区和所述第二区延伸至所述周边区的部分在所述基底上的正投影覆盖所述周边区。

11.根据权利要求3或4所述的晶体管，其特征在于，还包括中间导通层，所述中间导通层位于所述源极和所述漏极的靠近所述有源层的一侧，且与所述源极和所述漏极相接触，所述中间导通层在所述基底上的正投影位于所述周边区；

所述栅极位于所述有源层的背离所述基底的一侧，且所述栅极在所述基底上的正投影位于所述有源区且覆盖所述有源区；所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层。