[发明专利]晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置

说明书

本发明提供一种晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置。该晶体管包括：基底和设置在基底上的栅极、有源层、源极和漏极；源极和漏极分设于有源层的相对两端；有源层包括有源区和围设在有源区外侧的周边区，有源区与周边区相对接，有源区在基底上的正投影至少对应源极和漏极之间的间隔区域在基底上的正投影，有源区包括第一区和第二区，第一区围设于第二区的外围且第一区和第二区相对接，第一区采用非晶硅材料，第二区采用多晶硅材料；源极和漏极均分别与有源区连接。该晶体管结构设计，提升了晶体管的迁移率，降低晶体管的漏电流，并改善晶体管的开态电流和关态电流，有效提升晶体管的性能并简化了其制备工艺，使晶体管的应用更加广泛。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置。

背景技术

目前，大多数半导体晶体管都采用非晶硅材料的有源区，这种半导体晶体管通常采用传统的构图工艺和离子注入工艺进行制备，制备工艺复杂且制备效率低，很难解决高世代线的技术瓶颈。采用传统方法和材料制备形成的传统结构的晶体管迁移率低，漏电流高，使得晶体管的应用也受到很大的限制。

发明内容

本发明针对现有晶体管迁移率低、漏电流高、制备工艺复杂的问题，提供一种晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置。该晶体管通过使晶体管的有源区由非晶硅材料的第一区和多晶硅材料的第二区构成，提升了晶体管的迁移率，降低晶体管的漏电流，并改善晶体管的开态电流和关态电流，有效提升晶体管的性能，使晶体管的应用更加广泛，且本发明中晶体管的制备工艺简单。

本发明提供一种晶体管，包括：基底和设置在所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极分设于所述有源层的相对两端；所述有源层包括有源区和围设在所述有源区外侧的周边区，所述有源区与所述周边区相对接，所述有源区在所述基底上的正投影至少对应所述源极和所述漏极之间的间隔区域在所述基底上的正投影，所述有源区包括第一区和第二区，所述第一区围设于所述第二区的外围且所述第一区和所述第二区相对接，所述第一区采用非晶硅材料，所述第二区采用多晶硅材料；

所述源极和所述漏极均分别与所述有源区连接。

可选地，所述源极和所述漏极均分别与所述第一区接触并连接，或者，所述源极和所述漏极还均分别与所述第二区接触并连接。

可选地，所述第二区为条形，所述第一区为条形，所述第一区和所述第二区平行排布，所述第二区夹设于所述第一区之间；所述第一区和所述第二区的长度方向均沿所述源极与所述漏极的连线方向；

且沿所述源极和所述漏极的连线方向，所述源极连接所述第一区和所述第二区的一端端面，所述漏极连接所述第一区和所述第二区的另一端端面。

可选地，所述第一区封闭式地围绕在所述第二区的外围；

且沿所述源极和所述漏极的连线方向，所述源极连接所述第一区的一端端面，所述漏极连接所述第一区的另一端端面。

可选地，还包括中间导通层和刻蚀阻挡层，所述源极和所述漏极位于所述有源层的背离所述基底的一侧；

所述中间导通层位于所述源极和所述漏极的靠近所述有源层的一侧，且与所述源极和所述漏极相接触，所述中间导通层在所述基底上的正投影至少部分位于所述周边区；

所述刻蚀阻挡层位于所述中间导通层的靠近所述有源层的一侧，且所述刻蚀阻挡层在所述基底上的正投影位于所述有源区且覆盖所述有源区；

所述栅极位于所述有源层的靠近所述基底的一侧，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层。

可选地，所述第一区还延伸至所述周边区，且所述第一区延伸至所述周边区的部分在所述基底上的正投影覆盖所述周边区，并形成所述周边区的第一非晶硅层。

可选地，所述第一非晶硅层与所述中间导通层相接触。