[发明专利]镀膜方法及设备在审
| 申请号： | 202010071739.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111172499A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 赵刚科;尹智辉;陈喜文;叶楠琦 | 申请（专利权）人： | 东莞市微科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/46;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 牛亭亭 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 方法 设备 | ||
1.一种镀膜方法，其特征在于，包括：
在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在待镀膜件表面形成第一硅膜镀层；
在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层；
在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层；
在富氧环境中对所述第二硅膜镀层进行电离以使所述第二硅膜镀层转化为二氧化硅镀层。
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层之前，还包括：
向离子源腔室通入含氢气流直至所述离子源腔室的含氢量达到预设值。
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述含氢气流包括氢气和惰性气体。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述含氢气流中氢气的体积流量占比为40％。
5.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层之前，还包括：
向离子源腔室通入含氧气流直至所述离子源腔室的含氧量达到预设值。
6.根据权利要求5所述的镀膜方法，其特征在于，所述含氧气流包括氧气和惰性气体。
7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述含氧气流中氧气的体积流量占比为45％。
8.一种镀膜设备，其特征在于，包括靶材室、离子源腔室和移栽机构；
所述靶材室设有氩离子等离子束源和用于固定靶材的固定机构，用于在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在待镀膜件表面形成第一硅膜镀层；
所述离子源腔室设有电极，用于在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层；
所述靶材室还用于在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层；
所述离子源腔室还用于在富氧环境中对所述第二硅膜镀层进行电离以使所述第二硅膜镀层转化为二氧化硅镀层；
所述移栽机构设有用于固定待镀膜件的固定工位，用于实现所述待镀膜件在所述靶材室和离子源腔室之间的转移。
9.根据权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，所述移栽机构包括转盘和用于驱动所述转盘转动的驱动机构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市微科光电科技有限公司，未经东莞市微科光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010071739.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种回转式曲面光源生产机器人
- 下一篇：一种双臂援救机器人
- 同类专利
- 专利分类
