[发明专利]镀膜方法及设备

说明书

本发明涉及溅射成膜技术领域，具体公开一种镀膜方法及设备，所述方法包括：在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子体轰击以在待镀膜件表面形成第一硅膜镀层；在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层；在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层；在富氧环境中对所述第二硅膜镀层进行电离以使所述第二硅膜镀层转化为二氧化硅镀层。本发明提供一种镀膜方法及设备，能解决传统镀膜工艺容易因掉渣导致不良的问题。

技术领域

本发明涉及溅射成膜技术领域，尤其涉及一种镀膜方法及设备。

背景技术

为了具备红外截止性和高透过性等性能，在手机镜头的玻璃等待镀膜件上进行镀膜十分常见。射频溅射是常见的镀膜工艺之一，其步骤如下：

在靶材室中放入靶材(一般为含铝的高纯单晶硅或高纯多晶硅)；

①将待镀膜件放入靶材室；

②向靶材室通入氢气或氧气和氩气的混合气体；

③在靶材室使用氩离子等离子束对靶材进行轰击，将温度控制保持在一定的温度(主要为保证基片表面的温度)，硅离子与氢气反应形成氢化硅，氢化硅气化后经过护板，重新附着于待镀膜件的表面形成氢化硅镀层；

④在靶材室使用氩离子等离子束对靶材进行轰击，将温度控制保持在一定的温度(主要为保证基片表面的温度)，硅离子与氧气反应形成二氧化硅，二氧化硅气化后经过护板，重新附着于氢化硅镀层的表面形成二氧化硅镀层；

⑤交替重复步骤③和④即可在待镀膜件表面形成由氢化硅镀层和二氧化硅镀层交替层叠形成的镀膜，得到滤光片。

上述镀膜工艺的缺陷在于：

氧气与靶材的反应直接发生于靶材的表面，反应形成的二氧化硅在靶材上的附着力较弱，容易出现掉渣的情况，即二氧化硅不经气化就直接往下掉落至待镀膜件上，导致二氧化硅镀层不均匀，掉渣处会致使待镀膜件镀膜后所得的滤光片出现大小不一的亮点，最终出现不良。

因此，需要对现有的镀膜工艺进行改良，以解决其容易因掉渣导致不良的问题。

发明内容

本发明的一个目的在于，提供一种镀膜方法及设备，能解决传统镀膜工艺容易因掉渣导致不良的问题。

为达以上目的，一方面，本发明提供一种镀膜方法，包括：

在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在待镀膜件表面形成第一硅膜镀层；

在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层；

在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层；

在富氧环境中对所述第二硅膜镀层进行电离以使所述第二硅膜镀层转化为二氧化硅镀层。

优选的，所述在富氢环境中对所述第一硅膜镀层进行电离以使所述第一硅膜镀层转化为氢化硅镀层之前，还包括：

向离子源腔室通入含氢气流直至所述离子源腔室的含氢量达到预设值。

优选的，所述含氢气流包括氢气和惰性气体。

优选的，所述含氢气流中氢气的体积流量占比为40％。

优选的，所述在惰性环境中对靶材进行氩离子等离子束轰击以在所述氢化硅镀层表面形成第二硅膜镀层之前，还包括：

向离子源腔室通入含氧气流直至所述离子源腔室的含氧量达到预设值。

优选的，所述含氧气流包括氧气和惰性气体。

优选的，所述含氧气流中氧气的体积流量占比为45％。