[发明专利]形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构

权利要求书

1.一种形成导电区域的方法，其特征在于，包括：

准备基板，所述基板具有顶表面，导电垫在所述顶表面上；

将发光二极管粘合至所述导电垫，所述发光二极管包括底电极、位于所述底电极上的第一型半导体层、位于所述第一型半导体层上的主动层和位于所述主动层上的第二型半导体层，其中当所述发光二极管粘合至所述导电垫时，所述底电极接触所述导电垫；

形成聚合物层于所述基板上以覆盖所述基板的所述顶表面、所述导电垫和所述发光二极管，使得从所述聚合物层的第一表面到所述基板的所述顶表面的距离和从所述聚合物层的第二表面到所述发光二极管的顶表面的距离之间的差异大于从所述第二型半导体层与所述主动层之间的界面到所述基板的所述顶表面的距离，其中所述第一表面在所述基板上的垂直投影与所述发光二极管在所述基板上的垂直投影分隔开，且所述第二表面在所述基板上的垂直投影与所述发光二极管在所述基板上的垂直投影重叠；以及

蚀刻所述聚合物层直至所述第二型半导体层，借以从所述聚合物层露出所述发光二极管的所述顶表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

形成顶电极于所述发光二极管的所述第二型半导体层上，使得所述顶电极接触所述发光二极管的所述顶表面。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述顶电极为透明。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二型半导体层的厚度和所述第一型半导体层的厚度之间的比例大于或等于1.5。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一型半导体层为p型半导体层，所述第二型半导体层为n型半导体层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述聚合物层的所述第二表面到所述基板的所述顶表面的距离大于从所述聚合物层的所述第一表面到所述基板的所述顶表面的距离。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物层包括二氧化钛纳米粒子。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极的厚度和所述导电垫的厚度的总和小于或等于2微米。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物层是由旋转涂布或狭缝涂布所形成。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻后，所述聚合物层的厚度大于或等于2微米。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以灰化或等离子体蚀刻的方式执行蚀刻所述聚合物层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物层为正光阻层，且蚀刻所述聚合物层包括：

部分曝光所述聚合物层；以及

显影所述聚合物层。

13.一种形成导电区域的方法，其特征在于，包括：

准备基板，所述基板具有顶表面，导电垫在所述顶表面上；

将发光二极管粘合至所述导电垫，所述发光二极管包括底电极、位于所述底电极上的第一型半导体层、位于所述第一型半导体层上的主动层和位于所述主动层上的第二型半导体层，其中当所述发光二极管粘合至所述导电垫时，所述底电极接触所述导电垫；

形成聚合物层于所述基板上以覆盖所述基板的所述顶表面、所述导电垫和所述发光二极管，其中所述聚合物层的第一表面在所述基板上的垂直投影与所述发光二极管在所述基板上的垂直投影分隔开，且所述聚合物层的第二表面在所述基板上的垂直投影与所述发光二极管在所述基板上的垂直投影重叠；以及

蚀刻所述聚合物层直至所述第二型半导体层，借以从所述聚合物层露出所述发光二极管的顶表面，其中所述第一型半导体层和所述主动层并未从所述聚合物层露出。