[发明专利]形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构有效

专利信息
申请号: 202010071777.2 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN112054103B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 陈立宜;林怡菁 申请(专利权)人: 美科米尚技术有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/62
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 萨摩亚阿庇亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 导电 区域 方法 用于 发光二极管 接触 结构
【说明书】:

一种在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法,包括:准备基板,基板具有顶表面,导电垫在顶表面上;将发光二极管粘合至导电垫,发光二极管具有第一型和第二型半导体层以及主动层;形成聚合物层于基板上,使得从聚合物层的第一表面到基板的顶表面的距离和从聚合物层的第二表面到发光二极管的顶表面的距离之间的差异大于从第二型半导体层与主动层之间的界面到基板的顶表面的距离;以及蚀刻聚合物层直至第二型半导体层,借以从聚合物层露出发光二极管的顶表面。本发明的方法能够减少制程阶段的数量或让制作过程的执行更简单,因此降低成本并提高制造效率。

技术领域

本发明是关于在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构。

背景技术

此处的陈述仅提供与本发明有关的背景信息,而不必然地构成现有技术。

传统的显示器制程是标准化的制作过程组合。近年来,愈来愈多的新型显示器,例如微型发光二极管显示器(micro light-emitting diode display)、次毫米发光二极管显示器(mini light-emitting diode display)和量子点发光二极管显示器(quantumdotlight-emitting diodedisplay)等,有望在未来的显示器市场中占据主导地位,因此新的显示器制造程序的建立正在酝酿。生产一个显示器的制造程序中包括许多步骤,减少其中一个步骤可以降低成本并提高效率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,而提出一种改进的在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构,能够减少制程阶段的数量或让制作过程的执行更简单,因此降低成本并提高制造效率。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明的一些实施方式公开了一种在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法,包括:准备基板,基板具有顶表面,导电垫在顶表面上;将发光二极管粘合至导电垫,发光二极管包括底电极、位于底电极上的第一型半导体层、位于第一型半导体层上的主动层和位于主动层上的第二型半导体层,其中当发光二极管粘合至导电垫时,底电极接触导电垫;形成聚合物层于基板上以覆盖基板的顶表面、导电垫和发光二极管,使得从聚合物层的第一表面到基板的顶表面的距离和从聚合物层的第二表面到发光二极管的顶表面的距离之间的差异大于从第二型半导体层与主动层之间的界面到基板的顶表面的距离,其中第一表面在基板上的垂直投影与发光二极管在基板上的垂直投影分隔开,且第二表面在基板上的垂直投影与发光二极管在基板上的垂直投影重叠;以及蚀刻聚合物层直至第二型半导体层,借以从聚合物层露出发光二极管的顶表面。

根据本发明的一实施例,在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法更包括形成顶电极于发光二极管的第二型半导体层上,使得顶电极接触发光二极管的顶表面。

根据本发明的一实施例,顶电极为透明。

根据本发明的一实施例,第二型半导体层的厚度和第一型半导体层的厚度之间的比例大于或等于1.5。

根据本发明的一实施例,第一型半导体层为p型半导体层,第二型半导体层为n型半导体层。

根据本发明的一实施例,从聚合物层的第二表面到基板的顶表面的距离大于从聚合物层的第一表面到基板的顶表面的距离。

根据本发明的一实施例,聚合物层包括二氧化钛纳米粒子。

根据本发明的一实施例,底电极的厚度和导电垫的厚度的总和小于或等于2微米。

根据本发明的一实施例,聚合物层是由旋转涂布或狭缝涂布所形成。

根据本发明的一实施例,在蚀刻后,聚合物层的厚度大于或等于2微米。

根据本发明的一实施例,以灰化或等离子体蚀刻的方式执行蚀刻聚合物层。

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