[发明专利]邻近垂直发射装置的电绝缘

权利要求书

1.一种光学装置，包括：

掺杂基板层；

在掺杂基板层上的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列，即多个VCSEL阵列；

在掺杂基板层和多个VCSEL阵列之间的缓冲结构，以提供多个VCSEL阵列与掺杂基板层的电绝缘；和

绝缘结构，在多个VCSEL阵列的邻近VCSEL阵列之间且延伸穿过缓冲结构并进入掺杂基板层。

2.如权利要求1所述的光学装置，进一步包括:

金属互连部，将多个VCSEL阵列中的至少两个邻近VCSEL阵列串联电连接。

3.如权利要求1所述的光学装置，进一步包括:

在多个VCSEL阵列中的第一VCSEL阵列和多个VCSEL阵列中的第二VCSEL阵列之间的沟槽，

其中绝缘结构从沟槽的底部延伸。

4.如权利要求1所述的光学装置，其中缓冲结构与多个VCSEL阵列中的每一个VCSEL阵列的层形成反向p-n结。

5.如权利要求1所述的光学装置，其中多个VCSEL阵列中的每一个VCSEL阵列的层形成至少一个反向p-n结且与缓冲结构形成反向p-n结。

6.如权利要求1所述的光学装置，其中绝缘结构是绝缘区域。

7.如权利要求1所述的光学装置，其中绝缘结构是绝缘沟槽。

8.如权利要求1所述的光学装置，其中缓冲结构包括多个外延层，所述多个外延层在缓冲结构中形成至少一个反向p-n结。

9.一种在光学装置中实现绝缘的方法，包括：

在掺杂基板层上形成垂直发射装置的多个发射器阵列，

其中缓冲结构位于掺杂基板层和多个发射器阵列之间，且

其中缓冲结构提供了多个发射器阵列与掺杂基板层的电绝缘；和在多个发射器阵列中的邻近发射器阵列之间形成绝缘结构，

其中绝缘结构延伸通过缓冲结构并进入掺杂基板层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成绝缘结构包括：

在邻近发射器阵列之间形成沟槽，

其中绝缘结构从沟槽的底部延伸。

11.如权利要求9所述的方法，其中绝缘结构是绝缘区域。

12.如权利要求9所述的方法，其中绝缘结构是绝缘沟槽。

13.如权利要求9所述的方法，进一步包括:

形成金属互连部，以将多个发射器阵列中的至少两个邻近发射器阵列串联电连接。

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括:

在形成绝缘结构之后，在多个发射器阵列中的每一个发射器阵列上形成钝化层，

其中形成金属互连部包括：

在形成钝化层之后在钝化层上形成金属互连部。

15.如权利要求9所述的方法，其中形成多个发射器阵列包括：

在掺杂基板层上形成缓冲结构；和

在缓冲结构上形成垂直发射装置的层，

其中层和缓冲结构的组合包括至少一个p-n结。

16.一种发射器阵列，包括：

掺杂基板层；

在掺杂基板层上的多个垂直发射激光器；

在掺杂基板层和多个垂直发射激光器之间的缓冲结构，以提供多个垂直发射激光器与掺杂基板层的电绝缘；和

绝缘结构，在多个垂直发射激光器中的邻近垂直发射激光器之间且延伸穿过缓冲结构并进入掺杂基板层。