[发明专利]邻近垂直发射装置的电绝缘

说明书

一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括掺杂基板层。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层上的多个VCSEL。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层和多个VCSEL之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与多个VCSEL的层的组合可以提供多个VCSEL与掺杂基板层的电绝缘。VCSEL阵列可以包括在多个VCSEL的邻近VCSEL之间的绝缘结构。绝缘结构可以提供邻近VCSEL中的第一VCSEL和邻近VCSEL的第二VCSEL之间的电绝缘，第一VCSEL和第二VCSEL可以是不同VCSEL。

本申请是申请日为2018年9月18日、申请号为201811086210.1、发明名称为“邻近垂直发射装置的电绝缘”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发射器阵列的邻近垂直发射装置的电绝缘，且更具体地涉及使用缓冲结构和绝缘结构以使得在形成在导电基板上时让邻近垂直发射装置电绝缘。

背景技术

垂直发射装置(例如垂直空腔表面发射激光器(VCSEL))是一种激光器，其中光束沿垂直于基体表面的方向发出(例如从半导体晶片的表面垂直地)。多个垂直发射装置可以布置为具有共同基板的阵列。

发明内容

根据一些可行的实施方式，一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括掺杂基板层。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层上的多个VCSEL。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层和多个VCSEL之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与多个VCSEL的层的组合可以提供多个VCSEL与掺杂基板层的电绝缘。VCSEL阵列可以包括在多个VCSEL的邻近VCSEL之间的绝缘结构。绝缘结构可以提供邻近VCSEL中的第一VCSEL和邻近VCSEL的第二VCSEL之间的电绝缘，第一VCSEL和第二VCSEL可以是不同VCSEL。

根据一些可行的实施方式，一种方法可以包括在掺杂基板层上形成垂直发射装置的发射器阵列。发射器阵列可以包括在垂直发射装置和掺杂基板层之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与垂直发射装置的层的组合可以提供垂直发射装置与掺杂基板层的电绝缘。方法可以包括在垂直发射装置的邻近垂直发射装置之间形成绝缘结构。绝缘结构可以提供邻近垂直发射装置之间的电绝缘。该方法可以包括在发射器阵列上形成一组金属互连部，以电连接邻近垂直发射装置。

根据一些可行的实施方式，发射器阵列可以包括掺杂基板层。发射器阵列可以包括在掺杂基板层上的多个垂直发射激光器。发射器阵列可以包括在掺杂基板层和多个垂直发射激光器之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与多个垂直发射激光器的层的组合可以包括多个反向p-n结，以提供多个垂直发射激光器与掺杂基板层的电绝缘。发射器阵列可以包括在多个垂直发射激光器的邻近垂直发射激光器之间的绝缘结构。发射器阵列可以包括在邻近垂直发射激光器之间的沟槽。绝缘结构可以从沟槽的底表面延伸。绝缘结构可以提供邻近垂直发射激光器之间的电绝缘。

附图说明

图1是显示了现有技术的发射器阵列的截面图的示意图，其包括让形成在半绝缘基板上的邻近垂直发射装置电绝缘的沟槽(trench)；

图2A-2B分别是示例性垂直发射装置的俯视图和示例性垂直发射装置的示例性截面图的示意图；

图3是示例性发射器阵列的截面示意图，其包括缓冲结构和绝缘结构以让邻近垂直发射装置电绝缘；

图4是示例性发射器阵列的截面示意图，其包括缓冲结构和另一绝缘结构，以让邻近垂直发射装置电绝缘；和

图5是用于让邻近垂直发射装置电绝缘的示例性过程的流程图。

具体实施方式

示例性实施方式的以下详细描述参照了附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。