[发明专利]半导体装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板，具有一上表面，其中该基板包括由该上表面向下延伸的一掺杂区，该掺杂区具有一第一掺杂浓度；

一第一堆叠，设置于该上表面上，其中该第一堆叠包括：

交替堆叠的多个第一绝缘层及多个第一导电层，其中这些第一导电层配置为接收一第一电压；

一第一通道层，穿过该第一堆叠；

一第一存储层，环绕该第一通道层；以及

一第一导电连接件，设置于该第一通道层上，且具有一第二掺杂浓度；

一第二堆叠，设置于该第一堆叠上，其中该第二堆叠包括：

交替堆叠的多个第二绝缘层及多个第二导电层，其中这些第二导电层配置为接收不同于该第一电压的一第二电压；

一第二通道层，穿过该第二堆叠；

一第二存储层，环绕该第二通道层；以及

一第二导电连接件，设置于该第二通道层上，该第二导电连接件具有一第三掺杂浓度，且配置为接收一擦除电压，其中该第一导电连接件电性连接该第一通道层及该第二通道层；

其中该第一掺杂浓度小于该第二掺杂浓度及该第三掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一掺杂浓度小于5×10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第二电压大于该第一电压。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括一周边电路部分，该周边电路部分设置于该基板之下。

5.一种半导体装置的操作方法，其特征在于，包括：

提供该半导体装置，该半导体装置包括：

一基板，具有一上表面，其中该基板包括由该上表面向下延伸的一掺杂区，该掺杂区具有一第一掺杂浓度；

一第一堆叠，设置于该上表面上，其中该第一堆叠包括：

交替堆叠的多个第一绝缘层及多个第一导电层；

一第一通道层，穿过该第一堆叠；

一第一存储层，环绕该第一通道层；以及

一第一导电连接件，设置于该第一通道层上，且具有一第二掺杂浓度；

一第二堆叠，设置于该第一堆叠上，其中该第二堆叠包括：

交替堆叠的多个第二绝缘层及多个第二导电层；

一第二通道层，穿过该第二堆叠；

一第二存储层，环绕该第二通道层；以及

一第二导电连接件，设置于该第二通道层上，该第二导电连接件具有一第三掺杂浓度，其中该第一导电连接件电性连接该第一通道层及该第二通道层；

其中该第一掺杂浓度小于该第二掺杂浓度及该第三掺杂浓度；

在一擦除操作的期间施加一擦除电压至该第二导电连接件上；

在该擦除操作的期间施加一第一电压至这些第一导电层上；以及

在该擦除操作的期间施加一第二电压于这些第二导电层上；

其中该第二电压大于该第一电压。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的操作方法，其中该第一掺杂浓度小于5×10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的操作方法，其中该第二电压与该第一电压之间的电压差小于5V。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的操作方法，其中在该擦除操作的期间，该基板为浮接。

9.根据权利要求5所述的半导体装置的操作方法，其中在该擦除操作的期间，该第一导电连接件为浮接。

10.根据权利要求5所述的半导体装置的操作方法，其中在该擦除操作的期间，该擦除电压大于该第一电压与该第二电压。