[发明专利]排气装置、处理系统和处理方法在审
申请号: | 202010074928.X | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111519167A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 本山丰;兼村瑠威 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/02;C23C16/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气装置 处理 系统 方法 | ||
1.一种排气装置,其特征在于,包括:
设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部;
设置于所述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部;
设置于所述第1压力调节部的上游侧的第1真空计;和
设置于所述第1压力调节部与所述第2压力调节部之间的第2真空计。
2.如权利要求1所述的排气装置,其特征在于:
包括控制所述第1压力调节部和所述第2压力调节部的控制部,
所述控制部调节所述第2压力调节部以使得由所述第2真空计检测的压力成为预先设定的设定值。
3.如权利要求2所述的排气装置,其特征在于:
所述控制部在所述处理容器内进行成膜前调节所述第2压力调节部。
4.如权利要求2或3所述的排气装置,其特征在于:
所述第2真空计经由隔离阀与所述排气配管连接。
5.如权利要求4所述的排气装置,其特征在于:
所述控制部在所述处理容器内进行成膜时关闭所述隔离阀。
6.如权利要求2~5中任一项所述的排气装置,其特征在于:
所述控制部,在对所述处理容器内供给了非活性气体的状态下调节所述第2压力调节部。
7.如权利要求2~6中任一项所述的排气装置,其特征在于:
所述控制部,在将所述处理容器内维持在一定温度的状态下调节所述第2压力调节部。
8.如权利要求2~7中任一项所述的排气装置,其特征在于:
所述控制部,在将所述处理容器内控制为规定的压力以上的情况下,调节所述第2压力调节部以使得所述第2压力调节部的流导变小之后,调节所述第1压力调节部以使得所述处理容器内成为所希望的压力。
9.一种处理系统,其特征在于:
具有多个处理装置,该处理装置包括:
设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部;
设置于所述第1压力调节部的上游侧的第1真空计;
设置于所述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部;和
设置于所述第1压力调节部与所述第2压力调节部之间的第2真空计,
所述处理系统具有控制部,该控制部调节多个所述处理装置各自的所述第2压力调节部以使得由多个所述处理装置各自的所述第2真空计检测的压力成为大致相同的。
10.一种使用处理装置的处理方法,其特征在于:
该处理装置包括:
设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部;
设置于所述第1压力调节部的上游侧的第1真空计;
设置于所述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部;和
设置于所述第1压力调节部与所述第2压力调节部之间的第2真空计,
所述处理方法调节所述第2压力调节部以使得由所述第2真空计检测的压力成为预先设定的设定值。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的