[发明专利]排气装置、处理系统和处理方法

说明书

本发明提供排气装置、处理系统和处理方法。本发明的一方式的排气装置包括：设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部；设置于上述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部；设置于上述第1压力调节部的上游侧的第1真空计；和设置于上述第1压力调节部与上述第2压力调节部之间的第2真空计。本发明能够减小处理装置间的机器误差。

技术领域

本发明涉及排气装置、处理系统和处理方法。

背景技术

在半导体装置的制造工艺中，使用在与气体供给系统和真空排气系统连接的处理容器内收纳半导体晶片来对其进行规定的处理的处理装置(例如，参照专利文献1)。然而，在使用多个相同规格的处理装置进行处理的情况下，如果多个处理装置间的排气性能存在差异，则有可能在各个处理装置中产生不同的处理结果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-218098号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够减小处理装置间的机器误差的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的排气装置包括：设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部；设置于上述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部；设置于上述第1压力调节部的上游侧的第1真空计；和设置于上述第1压力调节部与上述第2压力调节部之间的第2真空计。

发明效果

依照本发明，能够减小处理装置间的机器误差。

附图说明

图1是表示一个实施方式的处理系统的结构例的图。

图2是表示一个实施方式的处理装置的结构例的图。

图3是表示排气箱的一例的图。

图4是表示流导调节处理的流程的一例的图。

图5是表示零点校正处理的流程的一例的图。

图6是表示高压处理的流程的一例的图。

具体实施方式

附图标记说明

1 处理装置

11 处理容器

71 排气配管

90 控制部

VL1 上游侧真空阀

VL2 下游侧真空阀

VG1 一次侧真空计

VG3 二次侧真空计。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明非限定的例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对于相同或对应的部件或零件，标注相同或对应的附图标记并省略重复的说明。

(处理系统)

参照图1，对一个实施方式的处理系统进行说明。图1是表示一个实施方式的处理系统的结构例的图。