[发明专利]掩模板及其制备方法、掩模板组件在审
申请号: | 202010075660.1 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111172495A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 郑勇;杜帅;丁文彪;代俊秀;高春燕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制备 方法 组件 | ||
1.一种掩模板,其特征在于,包括掩模图案区,所述掩模图案区包括至少一个掩模单元,所述掩模板还包括两个开孔区和两个焊接区,所述两个开孔区分别位于所述掩模图案区的沿第一方向的不同侧,其中,一个所述焊接区位于一个所述开孔区的沿第一方向远离所述掩模图案区的一侧,另一个所述焊接区位于另一个所述开孔区的沿第一方向远离所述掩模图案区的一侧;
所述掩模单元内设置有多个蒸镀孔,所述开孔区内设置有多个缓冲孔,所述缓冲孔在平行于所述掩模板所处平面的任意方向上的最大尺寸与所述蒸镀孔在该方向上的最大尺寸之比大于100,所述多个缓冲孔沿第二方向等间距分布,所述第二方向位于所述掩模板所处平面且垂直于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述多个缓冲孔的边界中与所述掩模板的沿所述第一方向延伸的中心线的最远距离为第一距离,所述多个蒸镀孔的边界中与所述掩模板的沿所述第一方向延伸的中心线的最远距离为第二距离,所述第一距离与所述第二距离的差的绝对值小于或等于2mm。
3.根据权利要求1或2所述的掩模板,其特征在于,所述多个缓冲孔沿所述第二方向排成多排且沿所述第一方向排成多排,所述多个缓冲孔还沿所述第一方向等间距分布。
4.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述缓冲孔沿所述第一方向的最大尺寸在5mm到20mm之间。
5.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述缓冲孔沿所述第二方向的最大尺寸在1.5mm到5mm之间。
6.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,沿所述第一方向相邻的缓冲孔在所述第一方向上的间距在0.5mm到2mm之间;沿所述第二方向相邻的缓冲孔在所述第二方向上的间距在0.5mm到2mm之间。
7.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述缓冲孔与所述过渡区的最小间距在0.5mm到2mm之间;所述缓冲孔与所述蒸镀孔的最小间距在3mm到5mm之间。
8.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述多个缓冲孔呈尺寸相同的矩形,所述矩形的长边方向为所述第一方向;
或者所述多个缓冲孔呈尺寸相同的正方形,所述正方形的一条边所在方向为所述第一方向;
或者所述多个缓冲孔呈尺寸相同的圆形。
9.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模图案区的厚度和所述开孔区的厚度相等。
10.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模图案区的厚度在4um到30um之间。
11.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述焊接区的厚度在15um到30um之间。
12.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模板的材料为包含硅、锰、钛、氧、碳、氧、磷微量元素中的一种或几种的镍铁合金。
13.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述焊接区的厚度大于所述开孔区的厚度,相邻的焊接区与开孔区之间还设置有过渡区,所述过渡区的厚度沿从所述焊接区指向所述开孔区的方向逐渐降低,所述过渡区的厚度介于所述焊接区的厚度和所述开孔区的厚度之间。
14.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述焊接区的厚度大于所述开孔区的厚度,相邻的焊接区与开孔区之间还设置有过渡区,沿所述第一方向从所述过渡区的与相邻焊接区的边界到所述过渡区的相邻开孔区的设定位置处所述掩模板的厚度逐渐降低,所述设定位置沿所述第二方向与所述缓冲孔的内部位置相对。
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