[发明专利]掩模板及其制备方法、掩模板组件在审

专利信息
申请号: 202010075660.1 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN111172495A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 郑勇;杜帅;丁文彪;代俊秀;高春燕 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 模板 及其 制备 方法 组件
【说明书】:

本公开提供一种掩模板及其制备方法、掩模板组件。该掩模板包括两个开孔区和两个焊接区,两个开孔区分别位于掩模图案区的沿第一方向的不同侧,其中,一个焊接区位于一个开孔区的沿第一方向远离掩模图案区的一侧,另一个焊接区位于另一个开孔区的沿第一方向远离掩模图案区的一侧;掩模单元内设置有多个蒸镀孔,开孔区内设置有多个缓冲孔,缓冲孔在平行于掩模板所处平面的任意方向上的最大尺寸与蒸镀孔在该方向上的最大尺寸之比大于100,多个缓冲孔沿第二方向等间距分布,第二方向位于掩模板所处平面且垂直于第一方向。有效缓解掩模板张网时的褶皱不良。

技术领域

本公开涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种掩模板、一种掩模板组件、一种掩模板的制备方法。

背景技术

随着光学技术和半导体技术的发展,以液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)为代表的平板显示器具有轻薄、能耗低、反应速度快、色纯度佳、以及对比度高等特点,在显示领域占据了主导地位。其中在半导体制作流程中,光刻工艺是非常重要的一个环节,而光刻工艺主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。

在掩膜板制作工艺中,例如相关技术中涉及的精细金属掩膜(FMM,Fine MetalMask)模式,是通过蒸镀将有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)材料按照预定程序蒸镀到低温多晶硅(LTPS,Low Temperature Poly-Silicon)背板上,即利用FMM上的图形将红绿蓝等有机发光材料蒸镀到规定位置上。但精细金属掩膜板(FMM Sheet)在拉伸后表面会产生褶皱,会影响蒸镀有效区的平坦状态,进而影响蒸镀产品的质量。

因此,有必要研究一种掩模板及掩模板制作方法,以改进掩模板在拉伸后的褶皱状态,进而提高蒸镀产品质量。

发明内容

本公开的实施例提供一种掩模板、一种掩模板组件和一种掩模板的制备方法,以降低掩模板张网时的褶皱问题。

根据本公开第一方面,提供一种掩模板,包括掩模图案区,所述掩模图案区包括至少一个掩模单元,所述掩模板还包括两个开孔区和两个焊接区,所述两个开孔区分别位于所述掩模图案区的沿第一方向的不同侧,其中,一个所述焊接区位于一个所述开孔区的沿第一方向远离所述掩模图案区的一侧,另一个所述焊接区位于另一个所述开孔区的沿第一方向远离所述掩模图案区的一侧;所述掩模单元内设置有多个蒸镀孔,所述开孔区内设置有多个缓冲孔,所述缓冲孔在平行于所述掩模板所处平面的任意方向上的最大尺寸与所述蒸镀孔在该方向上的最大尺寸之比大于100,所述多个缓冲孔沿第二方向等间距分布,所述第二方向位于所述掩模板所处平面且垂直于所述第一方向。

在一些实施例中,所述多个缓冲孔的边界中与所述掩模板的沿所述第一方向延伸的中心线的最远距离为第一距离,所述多个蒸镀孔的边界中与所述掩模板的沿所述第一方向延伸的中心线的最远距离为第二距离,所述第一距离与所述第二距离的差的绝对值小于或等于2mm。

在一些实施例中,所述多个缓冲孔沿所述第二方向排成多排且沿所述第一方向排成多排,所述多个缓冲孔还沿所述第一方向等间距分布。

在一些实施例中,所述多个缓冲孔沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列式排布。

在一些实施例中,所述缓冲孔沿所述第一方向的最大尺寸在5mm到20mm之间。

在一些实施例中,所述缓冲孔沿所述第二方向的最大尺寸在1.5mm到4mm之间。

在一些实施例中,沿所述第一方向相邻缓冲孔在所述第一方向上的间距在0.5mm到2mm之间。

在一些实施例中,沿所述第二方向相邻的缓冲孔在所述第二方向上的间距在0.5mm到2mm之间。

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