[发明专利]一种分子尺发夹结构及其用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法有效

专利信息
申请号: 202010076132.8 申请日: 2020-01-23
公开(公告)号: CN111254144B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 于仲波;王泽瑜;梁琳;李旭;王军力 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C12N15/113 分类号: C12N15/113;C12Q1/686;G16B25/20;G16B5/00
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 分子 发夹 结构 及其 用于 测量 空间 尺度 准确性 方法
【权利要求书】:

1.一种分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:分子尺发夹结构茎干部分含有多个CCGG位点;CCGG位点数量包括2-20个,各个CCGG位点等距设置;相邻两个CCGG位点之间由AT序列隔开,AT序列长度为16-40 bp;

还包括生物素把手、地高辛把手、第一核酸片段、第二核酸片段、Y字结构、loop结构和组成所述茎干部分的第三核酸片段和第四核酸片段;

所述第一核酸片段连接所述生物素把手和所述Y字结构,所述第二核酸片段连接所述地高辛把手和所述Y字结构,所述茎干部分连接所述loop结构和所述Y字结构;

测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法包括如下步骤:

通过单分子磁镊施加外力,在工作浓度的TET1CXXC结构域条件下,收集连接所述分子尺发夹结构的磁珠实时空间位置,计算纳米/碱基的实测转换系数;

根据理论蠕虫模型计算纳米/碱基的理论转换系数;

比较实测转换系数和理论转换系数衡量单分子磁镊空间尺度准确度。

2.根据权利要求1所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:AT序列长度为18bp。

3. 根据权利要求1所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:所述第三核酸片段由SEQ ID NO.13和SEQ ID NO.14退火形成,所述第四核酸片段由SEQ ID NO.15和SEQ ID NO.16退火形成。

4.根据权利要求1-3中任一所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:制备分子尺发夹结构包括如下步骤:

PCR获得生物素把手及地高辛把手,并对制得的生物素把手及地高辛把手进行酶切;

退火反应制备Y字结构、第一核酸片段、第二核酸片段、第三核酸片段、第四核酸片段和loop结构,并进行磷酸化;

将制得的生物素把手、地高辛把手、Y字结构、第一核酸片段、第二核酸片段、第三核酸片段、第四核酸片段和loop结构连接得到分子尺发夹结构。

5.根据权利要求4所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:生物素把手、第一核酸片段、Y字结构、第二核酸片段、地高辛把手、第三核酸片段、第四核酸片段和loop结构添加摩尔比例为1-9:1-3:1:1-3:1-9:1-3:1-9:1-27。

6.根据权利要求5所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:摩尔比例为6:2:1:2:6:2:4:20。

7. 根据权利要求1所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:单分子磁镊施加外力的力学操控模式为:低力6 pN 维持55 s,测试力14.75 pN维持10 s,高力30 pN维持5 s,测试力14.75 pN维持5 s,低力6 pN维持5 s,力跳循环数范围可控制为1-100次。

8.根据权利要求7所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:采取力跳循环50次。

9. 根据权利要求1所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:TET1 CXXC结构域工作浓度使用1-3 μM,分子尺发夹结构工作用量使用0.5-1.5 ng。

10. 根据权利要求9所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:TET1 CXXC结构域工作浓度使用3 μM,分子尺发夹结构工作用量使用0.5ng。

11.根据权利要求1所述的分子尺发夹结构用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法,其特征在于:理论蠕虫模型计算如公式1所示,

公式1;

其中F为力,x为长度,Lp为持久长度,Lc为轮廓长度,KB为玻尔兹曼常数,T为温度。

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