[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成叠层，所述叠层包含第一多晶硅层、氮化硅层与第二多晶硅层；

形成第一沟槽穿透所述叠层，其中所述第一沟槽具有蜿蜒状轮廓；

填入第一隔离层于所述第一沟槽中；

形成第二沟槽穿透所述叠层，以暴露所述第一多晶硅层、所述氮化硅层与所述第二多晶硅层的多个侧壁；

移除所述氮化硅层，以形成凹陷，所述凹陷位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间；

掺杂暴露的所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层的多个侧壁，以定义源极端点接触与漏极端点接触；

形成第三多晶硅层于所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层上，以及位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层的所述凹陷中，使得所述第三多晶硅层具有凹部部分，所述凹部部分位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间；

掺杂所述凹部部分，以定义源极区域与漏极区域；

掺杂所述凹部部分的内侧，以形成井区，所述井区为基极，其中所述基极朝向所述第一沟槽；

掺杂所述凹部部分，以定义通道区域，其中所述凹部部分定义为内存元件的本体；

形成栅极介电层于所述第三多晶硅层上；

形成栅极导电层于所述栅极介电层上，其中所述栅极导电层定义为字线，且所述栅极导电层位于所述凹陷的位置视为栅极，所述栅极朝向所述第二沟槽；以及

形成第二隔离层于所述栅极导电层上。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

形成第三隔离层于所述叠层上；

形成位线通孔接触通过所述第一隔离层与所述第三隔离层；以及

形成导电层于所述位线通孔接触上，其中所述导电层定义为位线。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

形成第四隔离层于所述导电层上；以及

形成电容连接垫通过所述第四隔离层、所述导电层与所述第三隔离层。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

形成第五隔离层于所述电容连接垫与所述第四隔离层上；以及

依序形成下电极板、高介电系数值介电层与上电极板于所述第五隔离层中。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第二隔离层的长度方向平行于所述第一隔离层的长度方向。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第三多晶硅层还具有连接于所述凹部部分的第一部份与第二部分，所述第一部分与所述第二部分分别位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层上。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

在形成所述第二隔离层于所述栅极导电层上之前，蚀刻所述栅极导电层、所述栅极介电层以及位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层上的所述第三多晶硅层的一部分，以形成第三沟槽。

8.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包含：

在形成所述位线通孔接触通过所述第一隔离层与所述第三隔离层之前，蚀刻所述第一隔离层，以留下所述第一隔离层的剩余的一部份。