[发明专利]一种探测电路、其制作方法及探测面板

权利要求书

1.一种探测电路，其特征在于，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管、三极管和光电转换器，所述薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述三极管的集电极电连接，所述薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；所述三极管的基极与所述光电转换器的第一端电连接，所述三极管的发射极与电源端电连接，所述光电转换器的第二端与偏置电极电连接。

2.如权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述源极通过与所述栅极同层设置的走线和所述集电极电连接，且所述走线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。

3.如权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述集电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且所述集电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。

4.如权利要求3所述的探测电路，其特征在于，所述光电转换器包括位于所述衬底基板上依次叠层设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层；

所述第一半导体层与所述基极电连接，或所述第一半导体层与所述基极为一体结构。

5.如权利要求4所述的探测电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。

6.如权利要求4所述的探测电路，其特征在于，所述三极管为PNP型三极管，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

7.一种探测面板，包括多个探测单元，其特征在于，每一所述探测单元均包括如权利要求1-6任一项所述的探测电路。

8.一种如权利要求1-6任一项所述的探测电路的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上分别形成薄膜晶体管、三极管、光电转换器和偏置电极；其中，

形成薄膜晶体管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、和钝化层；

形成三极管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成集电极、基极和发射极；

形成光电转换器，具体包括：在所述衬底基板上依次形成第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述栅极和所述走线。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述有源层和所述集电极。

11.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：

在所述集电极上依次沉积第一半导体材料膜层、本征半导体材料膜层、第二半导体材料膜层和导电材料膜层；

对所述导电材料膜层进行刻蚀，形成偏置电极；

以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的第二半导体材料膜层构成所述第二半导体层；

以所述偏置电极为掩膜，去除未被所述偏置电极覆盖的预设厚度的本征半导体材料膜层，所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层构成所述本征半导体层；

对未被所述偏置电极覆盖的本征半导体材料膜层进行离子掺杂，形成所述发射极；其中，被所述发射极覆盖的第一半导体材料膜层构成所述基极，被所述本征半导体层覆盖的第一半导体材料膜层构成所述第一半导体层。

12.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述基极、所述发射极、所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层，具体包括：

在所述集电极上依次形成层叠设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层，以形成所述光电转换器；

在所述第二半导体层上形成偏置电极；

在所述薄膜晶体管和所述光电转换器之间的集电极上形成与所述第一半导体层电连接的基极；

在所述基极上形成发射极。