[发明专利]一种探测电路、其制作方法及探测面板

说明书

本发明公开了一种探测电路、其制作方法及探测面板，该探测电路包括：包括薄膜晶体管、三极管和光电转换器，薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，薄膜晶体管的源极与三极管的集电极电连接，薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；三极管的基极与光电转换器的第一端电连接，三极管的发射极与电源端电连接，光电转换器的第二端与偏置电极电连接。通过在薄膜晶体管和光电转换器之间设置三极管，这样光电转换器转换后的电信号作为三极管的基极信号，因此该电信号可以通过三极管进行放大后输出至薄膜晶体管的源极，进而将放大的电信号通过薄膜晶体管输出至探测端；因此本发明实施例提供的探测电路可以提高平板探测器的信噪比。

技术领域

本发明涉及探测电路技术领域，特别涉及一种探测电路、其制作方法及探测面板。

背景技术

基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术制作的平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。

但是，目前现有的平板探测器的信噪比较低。

发明内容

本发明实施例提供一种探测电路、其制作方法及探测面板，用以解决现有的平板探测器的信噪比较低的问题。

本发明实施例提供了一种探测电路，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管、三极管和光电转换器，所述薄膜晶体管的栅极与控制信号端电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述三极管的集电极电连接，所述薄膜晶体管的漏极与探测信号端电连接；所述三极管的基极与所述光电转换器的第一端电连接，所述三极管的发射极与电源端电连接，所述光电转换器的第二端与偏置电极电连接。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述源极通过与所述栅极同层设置的走线和所述集电极电连接，且所述走线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述集电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且所述集电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述三极管和所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述光电转换器包括位于所述衬底基板上依次叠层设置的第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层；

所述第一半导体层与所述基极电连接，或所述第一半导体层与所述基极为一体结构。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述三极管为NPN型三极管，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测电路中，所述三极管为PNP型三极管，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

相应地，本发明实施例还提供了一种探测面板，包括多个探测单元，每一所述探测单元均包括如本发明实施例提供的上述任一项所述的探测电路。

相应地，本发明实施例还提供了一种如本发明实施例提供的上述探测电路的制作方法，包括：

在衬底基板上分别形成薄膜晶体管、三极管、光电转换器和偏置电极；其中，

形成薄膜晶体管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、和钝化层；

形成三极管，具体包括：在所述衬底基板上依次形成集电极、基极和发射极；

形成光电转换器，具体包括：在所述衬底基板上依次形成第一半导体层、本征半导体层和第二半导体层。