[发明专利]一种含SmFeN或SmFeC的烧结钕铁硼及其制备方法

权利要求书

1.一种含SmFeN或SmFeC的烧结钕铁硼的制备方法，其特征在于，其包含以下步骤：

S1.在钕铁硼烧结体的表面形成以Sm₂Fe_17-xM_x为扩散源的涂层，进行晶界扩散处理；

S2.进行氮化处理或碳化处理；其中，若经氮化处理，则得到含Sm₂Fe_17-xM_xN_y的烧结钕铁硼；若经碳化处理，则得到含Sm₂Fe_17-xM_xC_y的烧结钕铁硼；

其中，M为Co、Mo、Cu、Zr、Ti和Al的一种或多种，x=0~2；y=1~5。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼烧结体的原料包含：R：28~32%；Fe：65.5~70%；B：0.90~1.2%；M：0~5%；其中，所述百分比为所述元素占元素总量的质量百分比；所述R包含Nd、Pr、La、Ce、Sm和RH，所述RH为重稀土元素；所述M为Cu、Co、Al、Ti、Nb、Zn、Hf、Zr和Ga的一种或多种；

和/或，所述钕铁硼烧结体由钕铁硼烧结体的原料经过熔炼、浇铸、氢破制粉、磁场压制成型、烧结制备得到；

和/或，所述钕铁硼烧结体取向方向的厚度为0.1~10mm。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼烧结体的原料包含：PrNd：29.7%，Ho：1.5%；Fe：65.6%；B：0.95%；Cu：0.2%；Co：1.2%；Al：0.6%；Zr：0.15%；Ga：0.1%，所述百分比为 该元素占总质量的质量百分比；

和/或，所述钕铁硼烧结体取向方向的厚度为1~3mm。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼烧结体取向方向的厚度为1、2或3mm。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述熔炼和浇铸的设备为中频真空熔炼炉；

和/或，所述熔炼的温度为1300~1700℃；

和/或，所述浇铸的温度为1200~1600℃；

和/或，所述氢破制粉包括依次进行的氢破碎工艺和气流磨工艺；

和/或，所述磁场压制成型为磁场取向垂直压制成型或平行压制成型，取向压制时磁场强度在1.5T以上；

和/或，所述烧结在真空度低于0.05Pa的条件下进行；

和/或，所述烧结的温度为1000~1200℃；

和/或，所述烧结的时间为0.5~10h；

和/或，将所述钕铁硼烧结体经磨削、喷砂、酸洗后待用。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述熔炼和浇铸的设备为中频真空感应速凝甩带炉；

和/或，所述熔炼的温度为1450~1550℃；

和/或，所述浇铸的温度为1350-1500℃；

和/或，所述取向压制时磁场强度为1.8T；

和/或，所述烧结的温度为1000、1050、1080或1090℃；

和/或，所述烧结的时间为0.5、5或10h。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述熔炼的温度为1450、1500或1550℃；

和/或，所述浇铸的温度为1350、1400或1500℃。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，先将所述钕铁硼烧结体在惰性气体和H₂条件下活化后，在活化后的钕铁硼烧结体的表面形成以Sm₂Fe_17-xM_x为扩散源的涂层；

和/或，所述Sm₂Fe_17-xM_x的制备方法包含以下步骤：将按照名义成分为Sm₂Fe_17-xM_x的原料进行真空熔炼、浇铸、退火、鄂破、气流磨制备得到。