[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010079277.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112310279A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大出裕之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置，具备：
第1电极及第2电极；
相变层，设置在所述第1电极及所述第2电极之间；以及
导电层，设置在所述第1电极及所述相变层之间；且
所述相变层包含第1晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，
所述导电层包含第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，
所述第2晶格常数大于所述第1晶格常数的80％且小于120％。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述导电层包含所述第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述相变层连接于所述导电层。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
在对所述相变层进行重置动作的情况下，
所述相变层包含非晶状态的第1区域，
所述第1区域连接于所述导电层。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
在写入动作中，所述第1电极的电压小于所述第2电极的电压。
6.一种半导体存储装置，具备：
第1电极及第2电极；
相变层，设置在所述第1电极及所述第2电极之间；以及
导电层，设置在所述第1电极及所述相变层之间；且
所述导电层包含Ni、Pd、Ir、Pt、Sr、Cu、Ce、PtO及PdO中的任一个。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
所述相变层连接于所述导电层。
8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
在对所述相变层进行重置动作的情况下，
所述相变层包含非晶状态的第1区域，
所述第1区域连接于所述导电层。
9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中
在写入动作中，所述第1电极的电压小于所述第2电极的电压。
10.一种半导体存储装置，具备：
第1电极及第2电极；
相变层，设置在所述第1电极及所述第2电极之间；以及
晶种，设置在所述相变层中；且
所述相变层包含第1晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，
所述晶种包含第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，
所述第2晶格常数大于所述第1晶格常数的80％且小于120％。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中
所述晶种包含所述第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶。
12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中
所述相变层连接于所述晶种。
13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中
在对所述相变层进行重置动作的情况下，
所述相变层包含非晶状态的第1区域，
所述第1区域连接于所述晶种。
14.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中
在写入动作中，所述第1电极的电压小于所述第2电极的电压。
15.一种半导体存储装置，具备：
第1电极及第2电极；
相变层，设置在所述第1电极及所述第2电极之间；以及
晶种，设置在所述相变层中；且
所述晶种包含Ni、Pd、Ir、Pt、Sr、Cu、Ce、PtO及PdO中的任一个。
16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其中
所述相变层连接于所述晶种。
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