[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种容易微细化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1电极及第2电极、设置在所述第1电极及第2电极之间的相变层、以及设置在第1电极及相变层之间的导电层。相变层包含第1晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，导电层包含第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶。第2晶格常数大于所述第1晶格常数的80％且小于120％。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2019-140248号(申请日：2019年7月30日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，具备第1电极及第2电极、以及设置在第1电极及所述第2电极之间的相变层。

相变层例如包含锗(Ge)、锑(Sb)及碲(Te)等。

发明内容

本发明所要解决的问题在于提供一种容易微细化的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备第1电极及第2电极、设置在第1电极及第2电极之间的相变层、以及设置在第1电极及相变层之间的导电层。相变层包含第1晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，导电层包含第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶。第2晶格常数大于所述第1晶格常数的80％且小于120％。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性电路图。

图2是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性立体图。

图3(a)、(b)是存储单元MC的示意性剖视图。

图4是表示存储单元MC的电流-电压特性的示意性曲线图。

图5(a)～(c)是用来说明第1实施方式的存储单元MC的写入动作的示意性剖视图。

图6(a)～(c)是用来说明比较例的存储单元MC的写入动作的示意性剖视图。

图7(a)、(b)是第2实施方式之存储单元MC的示意性剖视图。

具体实施方式

接下来，参照附图对实施方式的半导体存储装置详细地进行说明。

另外，以下实施方式只是一例，并非意图限定本发明。

而且，在本说明书中，将相对于衬底表面平行的特定方向称为X方向，将相对于衬底表面平行且与X方向垂直的方向称为Y方向，将相对于衬底表面垂直的方向称为Z方向。

而且，在本说明书中，有时将沿着特定面的方向称为第1方向，将沿着该特定面与第1方向交叉的方向称为第2方向，将与该特定面交叉的方向称为第3方向。这些第1方向、第2方向及第3方向与X方向、Y方向及Z方向的任一方向可对应，也可不对应。

而且，在本说明书中，“上”或“下”等表达是以衬底为基准。例如，在所述第1方向与衬底表面交叉的情况下，将沿着该第1方向与衬底分离的朝向称为上，将沿着第1方向接近衬底的朝向称为下。

而且，在针对某构成提及下表面或下端的情况下，是指该构成的衬底侧的面或端部，在提及上表面或上端的情况下，是指该构成的与衬底为相反侧的面或端部。而且，将与第2方向或第3方向交叉的面称为侧面等。

而且，在本说明书中，在提及将第1构成“电连接”于第2构成的情况下，可以将第1构成直接连接于第2构成，也可以将第1构成经由配线、半导体构件或晶体管等连接于第2构成。例如，在将3个晶体管串联连接的情况下，即便第2个晶体管为OFF(断开)状态，第1个晶体管也会“电连接”于第3个晶体管。