[发明专利]确认方法在审
申请号: | 202010079650.5 | 申请日: | 2020-02-04 |
公开(公告)号: | CN111564381A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 芥川幸人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/301;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确认 方法 | ||
1.一种确认方法,对通过激光加工装置从被加工物的背面侧照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而在被加工物的内部形成改质层时的激光束的照射对被加工物的正面带来的影响进行确认,其中,
该确认方法具有如下的步骤:
确认用晶片准备步骤,准备在基材的正面上层叠有金属箔的确认用晶片;
改质层形成步骤,在将聚光点定位于该确认用晶片的该基材的内部的状态下,从该基材的背面侧照射对于该基材具有透过性的波长的激光束,并且使该聚光点和该确认用晶片在加工进给方向上相对移动,从而在该基材的内部形成改质层;
线状加工痕形成步骤,在与该加工进给方向垂直的转位进给方向上,在距离该改质层形成步骤中的激光束的照射位置为规定距离的位置,将聚光点定位于该确认用晶片的该基材与该金属箔的界面,在该状态下,从该基材的背面侧照射对于该基材具有透过性的波长的激光束,并且使该聚光点和该确认用晶片在该加工进给方向上相对移动,从而在该金属箔的正面上形成线状加工痕;以及
确认步骤,在实施了该改质层形成步骤和该线状加工痕形成步骤之后,根据该线状加工痕的位置对该改质层形成步骤中所照射的该激光束对该金属箔的正面带来的影响进行确认。
2.根据权利要求1所述的确认方法,其中,
该改质层形成步骤在实施了该线状加工痕形成步骤之后实施。
3.根据权利要求1或2所述的确认方法,其中,
该确认方法还具有如下的基准位置设定步骤:在实施了该确认用晶片准备步骤之后,将该确认用晶片中的要形成该改质层的位置设定为基准位置,
在该改质层形成步骤中,对该基准位置照射激光束,
在该线状加工痕形成步骤中,对在该转位进给方向上距离该基准位置为该规定距离的位置照射激光束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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