[发明专利]确认方法在审
申请号: | 202010079650.5 | 申请日: | 2020-02-04 |
公开(公告)号: | CN111564381A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 芥川幸人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/301;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确认 方法 | ||
提供确认方法,容易确认激光束的照射对被加工物的正面带来的影响。在确认用晶片的金属箔上形成两条线状加工痕(M1)和(M2),对它们中间的基准位置照射激光束而形成改质层(T)。虽然不容易视认形成于基材的内部的改质层(T),但是线状加工痕(M1)和(M2)明确地形成于金属箔(5)的正面上,因此能够容易地视认。因此,根据线状加工痕(M1)和(M2),能够把握改质层(T)的位置、即改质层(T)形成时的激光束的照射位置。因此,用户能够获取激光束的照射位置和由于到达基材(2)的正面的激光束而形成的正面损伤(LD)的位置关系,因此能够容易确认激光束的照射对被加工物的正面带来的影响。
技术领域
本发明涉及确认方法,确认照射到被加工物的背面的激光束对被加工物的正面带来的影响。
背景技术
用于形成芯片的被加工物例如在由形成于其正面的交叉的多条间隔道(分割预定线)划分的各区域内分别具有器件。通过沿着间隔道将被加工物断开而形成芯片。因此,有从被加工物的背面沿着间隔道照射激光束而在被加工物的内部形成沿着间隔道的改质层的方法。
在该方法中,有时正面的器件会因来自背面的激光束的照射而受到影响。因此,要求确认有无这样的影响或这样的影响的程度。例如在专利文献1中公开了用于确认这样的激光束的影响的确认用晶片。通过从背面对该确认用晶片照射激光束而形成改质层,能够对在确认用晶片的正面上所产生的损伤(以下称为正面损伤)进行检测。由此,能够确认激光束对被加工物的正面带来的影响、选定适当的加工条件、以及检测加工装置的异常。
专利文献1:日本特开2017-37912号公报
在改质层的形成时,在间隔道内未形成器件,因此在作为激光束的照射位置的正背面的间隔道内产生正面损伤是没有问题的。因此,知晓在偏离激光束的照射位置何种程度的位置会产生正面损伤很重要。
但是,在专利文献1的确认用晶片中未形成间隔道,因此难以从其外观判别激光束的照射位置。另外,还考虑从改质层判别激光束的照射位置。但是,改质层形成于确认用晶片的内部,因此不容易从外观进行判别。这样,在专利文献1的确认用晶片中存在不容易把握准确的激光束的照射位置的问题。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供确认方法,在从背面对不具有间隔道的确认用晶片照射用于形成改质层的激光束时,能够判别激光束的照射位置,从而能够容易地确认激光束的照射对被加工物的正面带来的影响。
根据本发明,提供确认方法,对通过激光加工装置从被加工物的背面侧照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而在被加工物的内部形成改质层时的、激光束的照射对被加工物的正面带来的影响进行确认,其中,该确认方法具有如下的步骤:确认用晶片准备步骤,准备在基材的正面上层叠有金属箔的确认用晶片;改质层形成步骤,在将聚光点定位于该确认用晶片的该基材的内部的状态下,从该基材的背面侧照射对于该基材具有透过性的波长的激光束,并且使该聚光点和该确认用晶片在加工进给方向上相对移动,从而在该基材的内部形成改质层;线状加工痕形成步骤,在与该加工进给方向垂直的转位进给方向上距离该改质层形成步骤中的激光束的照射位置为规定距离的位置,将聚光点定位于该确认用晶片的该基材与该金属箔的界面,在该状态下,从该基材的背面侧照射对于该基材具有透过性的波长的激光束,并且使该聚光点和该确认用晶片在该加工进给方向上相对移动,从而在该金属箔的正面上形成线状加工痕;以及确认步骤,在实施了该改质层形成步骤和该线状加工痕形成步骤之后,根据该线状加工痕的位置对在该改质层形成步骤中所照射的该激光束对该金属箔的正面带来的影响进行确认。
优选该改质层形成步骤在实施了该线状加工痕形成步骤之后实施。
优选本确认方法还具有如下的基准位置设定步骤:在实施了该确认用晶片准备步骤之后,将该确认用晶片中的要形成该改质层的位置设定为基准位置。优选在该改质层形成步骤中,对该基准位置照射激光束,在该线状加工痕形成步骤中,对在该转位进给方向上距离该基准位置为该规定距离的位置照射激光束。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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