[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一导电类型的第一杂质区域，形成在所述半导体衬底上；

多个沟槽，形成在所述第一杂质区域的表面上并且在平面图中在第一方向上延伸；

栅极电极，经由栅极绝缘膜形成在所述多个沟槽中的每一个沟槽中；以及

多个柱区域，形成在所述多个沟槽之间的所述第一杂质区域中，所述多个柱区域各自具有比所述多个沟槽的底部深度更深的底部深度，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，

其中，所述多个沟槽包括第一沟槽和第二沟槽以及第三沟槽，所述第二沟槽和所述第三沟槽与所述第一沟槽相邻使得在与所述第一方向正交的第二方向上夹住所述第一沟槽，

其中，所述多个柱区域包括形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的第一柱区域以及形成在所述第一沟槽和所述第三沟槽之间的第二柱区域和第三柱区域，

其中，所述第二柱区域和所述第三柱区域被设置成在所述第一方向上彼此相邻，

其中，从在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间形成的所述多个柱区域中选择的一个第一柱区域被设置为最接近所述第二柱区域和所述第三柱区域，以及

其中，由连接所述第一柱区域的中心和所述第二柱区域的中心的线与连接所述第一柱区域的中心和所述第三柱区域的中心的线定义的角度θ1大于或等于60度且小于90度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角度θ1是60度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第二方向上，形成在所述第一沟槽内的所述栅极电极的中心与形成在所述第二沟槽内或所述第三沟槽内的所述栅极电极的中心之间的距离为LA，从所述第一柱区域的中心到所述第二柱区域的中心的距离、从所述第二柱区域的中心到所述第三柱区域的中心的距离以及从所述第一柱区域的中心到所述第三柱区域的中心的距离分别为

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角度θ1大于60度且小于或等于90度，

其中，由连接所述第一柱区域的中心和所述第二柱区域的中心的线与连接所述第二柱区域的中心和所述第三柱区域的中心的线形成的角度θ2大于或等于45度且小于60度，以及

其中，由连接所述第一柱区域的中心和所述第三柱区域的中心的线与连接所述第二柱区域的中心和所述第三柱区域的中心的线形成的角度θ3大于或等于45度且小于60度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述第二方向上，形成在所述第一沟槽内的所述栅极电极的中心与形成在所述第二沟槽内或所述第三沟槽内的所述栅极电极的中心之间的距离为LA，从所述第一柱区域的中心到所述第二柱区域的中心的距离以及从所述第一柱区域的中心到所述第三柱区域的中心的距离大于且小于或等于以及

其中，从所述第二柱区域的中心到所述第三柱区域的中心的距离大于且小于或等于2×LA。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个沟槽还包括沟槽连接部分，所述沟槽连接部分在所述第二方向上延伸并且连接所述第一沟槽和所述第二沟槽，

其中，与所述栅极电极集成的栅极引出部分经由所述栅极绝缘膜形成在所述沟槽连接部分中，

其中，所述沟槽连接部分在所述第一方向上的宽度大于所述第一沟槽在所述第二方向上的宽度，以及

其中，用于连接到栅极布线的第一插塞形成在所述栅极引出部分上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个柱区域还包括第四柱区域，所述第四柱区域与所述第一柱区域相邻使得在所述第一方向上夹住所述栅极引出部分，以及

其中，在平面图中所述第一柱区域和所述第四柱区域形成在不与所述沟槽连接部分重叠的位置处。