[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010080913.4 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111244071B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/48;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一基底结构，所述第一基底结构包括第一半导体元件和位于所述第一半导体元件上的第一介电层；
第二基底结构，所述第二基底结构包括第二半导体元件和位于所述第二半导体元件上的第二介电层；
位于所述第一基底结构和第二基底结构之间的多功能导电层，所述多功能导电层的两侧分别与所述第一介电层、第二介电层连接，所述第一半导体元件、第二半导体元件在设定平面上的投影落入所述多功能导电层在设定平面上的投影内，所述设定平面垂直于所述第一介电层的厚度方向；
用于接收/输出电信号的引出结构，所述引出结构沿所述厚度方向穿过所述第一基底结构，并延伸至与所述多功能导电层的局部接触；以及
其中，所述多功能导电层与所述第一介电层或所述第二介电层之间具有共价键键合结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二基底结构还包括互连结构，所述第二介电层位于多功能导电层与互连结构之间；
所述半导体器件还包括位于所述第一基底结构内的电连接结构，所述电连接结构穿过所述多功能导电层，并与所述互连结构电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体元件、第二半导体元件包括图像传感器、二极管、功率器件、存储器件、逻辑器件、金属氧化物半导体器件中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体元件、第二半导体元件其中之一为图像传感器、逻辑器件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多功能导电层的外边缘与第一介电层、第二导电层的外边缘对齐。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多功能导电层为覆盖整个所述第一介电层、第二介电层的膜层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多功能导电层包含铝或钽。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层包含氧化硅、氮化硅、硅碳氧化合物或硅碳氮化合物。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述引出结构包括与所述多功能导电层电连接的焊盘以及至少包围部分所述焊盘的绝缘层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多功能导电层为不透光导电层。
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