[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法和存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

上述基板处理装置具备：

处理室，其容纳基板；

加热部，其对上述处理室内进行加热；

控制部，其进行控制以使得能够根据所设定的工艺参数而在上述基板上形成膜；

计算部，其计算附着在上述处理室内的膜厚；以及

存储部，其存储由上述计算部计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚，

上述控制部能够根据存储于上述存储部的累计膜厚来决定上述工艺参数的温度以外的设定值。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部能够使用预先准备的表或计算公式，决定与存储于上述存储部的累计膜厚对应的、上述工艺参数的温度以外的设定值。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部能够还使用累计膜厚以外的其他条件，决定上述工艺参数的温度以外的设定值。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部构成为能够还使用累计膜厚以外的其他条件，决定上述工艺参数的温度以外的设定值。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部构成为，上述工艺参数对包含周期数、压力、气体流量、步骤时间中的至少任意一个的数据进行运算。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述工艺参数包含周期数的数据，

上述控制部构成为，进行运算以使得根据在上述基板上成膜的设定膜厚来决定上述周期数。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述半导体器件的制造方法包括：

(a)在处理室内容纳基板的工序；

(b)对上述处理室内进行加热的工序；

(c)根据所设定的工艺参数而在上述基板上形成膜的工序；

(d)计算附着在上述处理室内的膜厚的工序；

(e)存储计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚的工序；以及

(f)根据所存储的累计膜厚来决定上述工艺参数的温度以外的设定值的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，使用预先准备的表或计算公式，决定与存储于上述存储部的累计膜厚对应的、上述工艺参数的温度以外的设定值。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，能够还使用累计膜厚以外的其他条件，决定上述工艺参数的温度以外的设定值。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述(f)工序中，能够还使用累计膜厚以外的其他条件，决定上述工艺参数的温度以外的设定值。

11.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述工艺参数包含周期数、压力、气体流量、步骤时间中的至少任意一个。

12.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述工艺参数包含周期数的数据，

在上述(f)工序中，进行运算以使得根据在上述基板上成膜的设定膜厚来决定上述周期数。