[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法和存储介质

说明书

本发明提供能够使形成在基板上的膜厚在批处理之间均等的技术。基板处理装置构成为具备：处理室，其容纳基板；加热部，其对处理室内进行加热；控制部，其进行控制以使得能够根据所设定的工艺参数而在基板上形成膜；计算部，其计算附着在处理室内的膜厚；存储部，其存储由计算部计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚，控制部能够根据存储在存储部中的累计膜厚来决定工艺参数的温度以外的设定值。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法和存储介质。

背景技术

通过加热装置对反应炉内进行加热控制而在基板上形成膜(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-109906号公报

发明要解决的问题

在上述那样的反应炉内，随着进行基板处理的批处理次数增加，在反应炉内的内壁面、设置在反应炉内的温度检测器等上也附着膜并累积。由于该附着并累积在反应炉内的膜，即使按照相同的设定值进行批处理，形成的膜的膜厚也有时在批处理之间不同。

发明内容

本发明的目的在于：提供能够使形成在基板上的膜厚在批处理之间均等的技术。

解决方案

根据本发明的一个实施例，提供以下的技术，其构成为具备：

处理室，其容纳基板；

加热部，其对处理室内进行加热；

控制部，其进行控制以使得能够根据所设定的工艺参数而在基板上形成膜；

计算部，其计算附着在处理室内的膜厚；

存储部，其存储由计算部计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚，

控制部能够根据存储在存储部中的累计膜厚来决定工艺参数的温度以外的设定值。

发明效果

根据本发明，能够使形成在基板上的膜厚在批处理之间均等。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的纵式处理炉的概要的纵向剖视图。

图2是图1的A-A线的概要横向剖视图。

图3是本发明的一个实施方式的基板处理装置的控制器的概要结构图，且是用框图表示控制器的控制系统的图。

图4是本发明的一实施方式的基板处理装置的动作的流程图。

图5是表示比较例的处理室内累计膜厚与每个批处理的形成在基板上的膜的膜厚之间的关系的图。

图6是表示存储在存储装置中的数据的一个例子的图。

图7是表示存储在存储装置中的数据的一个例子的图。

图8是与比较例比较地表示本发明的一个实施方式的处理室内累计膜厚与每个批处理的形成在基板上的膜的膜厚之间的关系的图。

图9是表示第二实施方式的基板处理装置的动作的流程图。

附图标记说明：

10：基板处理装置；121：控制器；200：晶圆(基板)；201：处理室。

具体实施方式

本发明的一个实施方式

以下，说明本发明的一个实施方式。作为在半导体器件的制造工序中使用的装置的一个例子，而构成基板处理装置10。