[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，

该基板处理方法具备如下工序：

准备基板的工序；

将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及

将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序，

其中，所述晶种层与所述基板的未形成所述晶种层的表面相比，对所述第2原料气体的吸附性较高，所述第1原料气体是含硅气体，所述第2原料气体是含金属气体，

所述第1还原气体是含氮气体，使含金属膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供给所述第2原料气体，以使得所述第2原料气体吸附于所述晶种层，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供给所述第1还原气体，以使吸附到所述基板上的所述第2原料气体还原，其中，通过反复将所述第1工序和所述第2工序进行预定循环，来在所述基板上形成期望膜厚的所述含金属膜，以及

所述晶种层是不连续膜。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在形成所述晶种层的工序的期间连续地供给所述第1原料气体。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述第2原料气体与所述第1原料气体不同。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述第2原料气体是含Ti气体。

5.一种基板处理装置，其中，

该基板处理装置具备：

腔室；

载物台，其用于载置基板；

气体供给部，其用于向所述腔室供给气体；

加热源，其用于加热所述载物台；以及

控制部，

所述控制部执行如下工序：

准备所述基板的工序；

将载置所述基板的所述载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及

将载置所述基板的所述载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序，

其中，所述晶种层与所述基板的未形成所述晶种层的表面相比，对所述第2原料气体的吸附性较高，所述第1原料气体是含硅气体，所述第2原料气体是含金属气体，

所述第1还原气体是含氮气体，使含金属膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供给所述第2原料气体，以使得所述第2原料气体吸附于所述晶种层，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供给所述第1还原气体，以使吸附到所述基板上的所述第2原料气体还原，其中，通过反复将所述第1工序和所述第2工序进行预定循环，来在所述基板上形成期望膜厚的所述含金属膜，以及

所述晶种层是不连续膜。

6.一种基板处理装置，其是具有真空输送室和多个腔室的基板处理装置，其中，

各腔室具有：

载物台，其用于载置基板；

气体供给部，其用于向所述腔室供给气体；

加热源，其用于加热所述载物台；以及

控制部，

所述控制部执行如下工序：

在一腔室准备所述基板的工序；

将载置所述基板的所述载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；

以不暴露于大气的方式经由所述真空输送室从所述一腔室向其他腔室输送所述基板的工序；以及

将载置所述基板的所述载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序，

其中，所述晶种层与所述基板的未形成所述晶种层的表面相比，对所述第2原料气体的吸附性较高，所述第1原料气体是含硅气体，所述第2原料气体是含金属气体，

所述第1还原气体是含氮气体，使含金属膜成膜的工序包括第1工序和第2工序，其中，在所述第1工序中，向所述基板供给所述第2原料气体，以使得所述第2原料气体吸附于所述晶种层，在所述第2工序中，在所述第1工序之后，向所述基板供给所述第1还原气体，以使吸附到所述基板上的所述第2原料气体还原，其中，通过反复将所述第1工序和所述第2工序进行预定循环，来在所述基板上形成期望膜厚的所述含金属膜，以及

所述晶种层是不连续膜。