[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。

技术领域

本公开涉及基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

例如，作为3DNAND的字线、势垒金属，公知使用TiN膜。

在专利文献1中公开了使TiN膜等成膜的基板处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-6699号公报

发明内容

发明要解决的问题

在一方面，本公开提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一技术方案，提供一种基板处理方法，该基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。

发明的效果

根据一方面，能够提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。

附图说明

图1是本实施方式的群集系统的结构图。

图2是第1实施方式的群集系统所具备的晶种层形成装置的截面示意图的一个例子。

图3是本实施方式的群集系统所具备的成膜装置的截面示意图的一个例子。

图4是表示本实施方式的群集系统中的动作的一个例子的流程图。

图5是表示第1实施方式的各工序中的基板的状态的截面示意图。

图6是第2实施方式的群集系统所具备的晶种层形成装置的截面示意图的一个例子。

图7是表示第2实施方式的各工序中的基板的状态的截面示意图。

图8是表示使含金属膜成膜的处理中的ALD工艺的循环次数与TiN膜的膜厚之间的关系的图表。

图9是变形例的基板处理装置的截面示意图的一个例子。

具体实施方式

以下，参照附图而对用于实施本公开的形态进行说明。在各附图中，存在如下情况：对同样构成部分标注相同附图标记，而省略重复的说明。

＜群集系统＞

使用图1而对本实施方式的群集系统(基板处理装置)300进行说明。图1是本实施方式的群集系统300的结构图。群集系统300是如下装置：在晶圆等基板W的表面形成晶种层，之后，在形成了晶种层的基板W使含金属膜成膜。

如图1所示，群集系统300具有两个晶种层形成装置100和两个成膜装置200。这些装置分别借助闸阀G与俯视形状呈七边形的真空输送室301的4个壁部连接。真空输送室301内利用真空泵排气而被保持在预定的真空度。