[发明专利]多层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 202010082253.3 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111564310B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 尹基明;朴宰成;郑东俊 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包国菊;王春芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 | ||
1.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷主体，具有设置在内电极之间的介电层，
其中，所述介电层包括多个介电晶粒和在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界，
其中，所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比为大于等于1且小于等于6，并且
其中，所述晶界中的Ni的重量与Ti的重量的Ni/Ti比为0.1或更小。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述晶界中包括的Ni与Si一起处于非晶态。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的所述介电晶粒具有0.1μm至0.3μm的尺寸。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界具有0.7nm至1.5nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界的厚度是均匀的。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的所述介电晶粒具有核-壳结构。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述内电极之间的所述介电层具有1μm或更小的厚度。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器还包括：
第一外电极，电连接到所述第一内电极；以及
第二外电极，电连接到所述第二内电极，
其中，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外部。
10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷主体包括包含所述内电极的多个内电极，所述多个内电极堆叠在所述陶瓷主体的有效部中，并且所述陶瓷主体还包括覆盖部，所述覆盖部包括在所述内电极的堆叠方向上设置在所述多个内电极中的最上内电极上方和最下内电极下方的介电层。
11.一种多层陶瓷电容器，包括：
彼此交替堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，且介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间，
其中，每个介电层包括多个介电晶粒，且晶界位于所述多个介电晶粒之间，并且
所述晶界包括Ni和Ti，并且所述晶界中的Ni的重量与Ti的重量的Ni/Ti比为0.1或更小。
12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，在相邻的第一内电极和第二内电极之间的每个介电层具有1μm或更小的厚度。
13.根据权利要求12所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界还包括Si，并且所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
14.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述介电晶粒具有包括核和壳的结构，并且所述核不包括Si和Ni。
15.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述介电晶粒具有由ABO3表示的钙钛矿结构，其中，A包括从钡、锶、铅和钙中选择的至少一种元素，并且B包括从钛和锆中选择的至少一种元素。
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